恭喜长鑫存储技术有限公司吴秉桓获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911213085.0，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴秉桓设计研发完成，并于2019-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括：支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽；焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。上述半导体结构中通过在焊垫下方形成焊盘区域内具有若干个凹槽的支撑层，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，但由于焊垫下方为具有凹槽的支撑层，焊线底部会部分区域陷入凹槽内，使得焊线与焊垫的接触面为凸凹不平状，增大焊线与焊垫的接着性，降低焊线脱落的风险。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：支撑层，包括焊盘区域；所述焊盘区域内的所述支撑层具有若干个凹槽；焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内；所述半导体结构还包括：基底，所述基底内具有集成电路结构；钝化层，位于所述基底的上表面；所述支撑层位于所述钝化层的上表面；重布线层，位于所述支撑层上，且与所述集成电路及所述焊垫相连接；种子层，位于所述支撑层与所述焊垫之间、所述重布线层与所述支撑层之间及所述重布线层与所述集成电路结构之间；保护层，位于所述支撑层的上表面，且覆盖所述重布线层及所述焊垫；所述保护层内形成有开口，所述开口暴露出所述焊垫；焊线，一端位于所述开口内，且与所述焊垫相连接；所述开口的下部的所述保护层内具有缺口，以使得所述开口下部的宽度大于所述开口上部的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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