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龙图腾网恭喜玛格特拉公司申请的专利可调式多层太赫兹磁振子发生器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113491042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080016918.9，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权可调式多层太赫兹磁振子发生器是由B·G·坦克希列维奇;N·J·基什内尔;C·T·瑟曼设计研发完成，并于2020-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本可调式多层太赫兹磁振子发生器在说明书摘要公布了：提供一种用于调谐太赫兹辐射的频率的方法。该方法利用一设备，该设备包括自旋注入器、耦合至该自旋注入器的穿隧结、以及耦合至该穿隧结的铁磁材料。该铁磁材料包括磁振子增益介质MGM。该方法包括施加偏置电压以将该自旋注入器的费米能级相对于该铁磁材料的费米能级移位，以通过将少数电子注入磁振子增益介质来开始非平衡磁振子的产生的步骤。该方法还包括通过改变该偏置电压的值来调谐所产生的太赫兹辐射的频率。

本发明授权可调式多层太赫兹磁振子发生器在权利要求书中公布了：1.一种用于产生可调谐太赫兹辐射的设备，包括：自旋注入器；所述自旋注入器包括具有自旋向下的少数电子的源；穿隧结，耦合至所述自旋注入器；以及底层，还包括耦合至所述穿隧结的铁磁材料；所述铁磁材料包含磁振子增益介质；所述铁磁材料还包括：导带，通过交换能隙被分成两个子带，第一子带具有沿着所述铁磁材料的磁化强度而定向的自旋向上；以及第二子带具有相反于所述铁磁材料的该磁化强度而定向的自旋向下；其中，具有自旋向上的多数电子位于具有自旋向上的所述第一子带中；顶部电极；参考层；以及钉扎层，包括Ruderman–Kittel–Kasuya–Yosida非磁性钉扎层，并耦合到所述参考层，其中，所述自旋注入器通过所述钉扎层耦合到所述顶部电极；其中，在偏置电压施加到所述自旋注入器之后，通过所述穿隧结穿隧，将具有自旋向下的所述少数电子从所述自旋注入器注入到所述磁振子增益介质中；以及其中，施加的所述偏置电压配置成相对于所述铁磁材料的费米能级而移位所述自旋注入器的费米能级。

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