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龙图腾网恭喜全宇昕科技股份有限公司申请的专利金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010044859.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法是由徐信佑;陈涌昌;王振煌设计研发完成，并于2020-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法。金属氧化物半导体场效晶体管包含基材结构、多个掺杂区域、多个沟槽氧化层、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层具有多个沟槽。每个沟槽的沟槽深度为X1微米。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。多个沟槽氧化层分别形成于多个沟槽的内壁。每个沟槽氧化层的氧化层厚度为X2微米。X1与X2符合以下关系式：0.05X1≤X2≤0.25X1。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于多个半导体层结构上。金属结构形成于介电质层结构上。借此，金属氧化物半导体场效晶体管能承受较高的工作电压、而不会有烧毁的情形发生。

本发明授权金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效晶体管包括：一基材结构，其包含：一基底层；及一磊晶层，其形成于所述基底层上，并且所述磊晶层具有自所述磊晶层的相反于所述基底层的一侧表面凹设、且彼此间隔地排列的多个沟槽；其中，每个所述沟槽的一沟槽深度为X1微米，并且X1为大于零的实数；多个掺杂区域，其分别形成于多个所述沟槽的底部、且朝着所述磊晶层的部分扩散；多个沟槽氧化层，其分别形成于多个所述沟槽的内壁上，多个所述沟槽氧化层的底部分别抵接于多个所述掺杂区域，并且每个所述沟槽氧化层包围地形成有一凹槽；其中，每个所述沟槽氧化层的一氧化层厚度为X2微米，并且X2为大于零的实数；其中，在每个所述沟槽及其所对应的沟槽氧化层中，所述沟槽的所述沟槽深度X1是介于7微米至16微米之间，所述沟槽氧化层的所述氧化层厚度X2是介于1.2微米至1.5微米之间，并且X1与X2符合以下关系式：0.075X1≤X2≤0.22X1；多个半导体层结构，其分别形成且填充于多个所述凹槽中，以分别与多个所述沟槽氧化层共同形成为多个沟渠式结构；一介电质层结构，其形成且覆盖于多个所述半导体层结构上、且位于所述磊晶层的上方；以及一金属结构，其形成于所述介电质层结构的相反于所述基底层的一侧表面上，并且所述金属结构电性连接于多个所述沟渠式结构中的至少其中一个所述沟渠式结构；其中，所述金属氧化物半导体场效晶体管适用于通入不小于275伏特且不大于800伏特的一工作电压。

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