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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于补偿射频功率损耗的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008749B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080045167.3，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权用于补偿射频功率损耗的系统和方法是由马修·丹尼斯·埃文斯;克里斯托弗·艾迪生·弗劳尔斯;约翰·德鲁厄里设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于补偿射频功率损耗的系统和方法在说明书摘要公布了：描述了用于补偿射频RF功率损耗的系统和方法。方法中的一种包括进行无等离子体测试以确定与阻抗匹配电路的输出相关联的电阻。在进行无等离子体测试之后，在等离子体室中处理衬底。在衬底处理期间，确定与阻抗匹配电路的输出相关的功率损耗。功率损耗用于确定要由RF发生器输送的功率量。调整输送的功率量，直到功率损耗稳定。功率损耗的稳定有利于等离子体室中衬底和附加衬底的均匀处理。

本发明授权用于补偿射频功率损耗的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于补偿射频RF功率损耗的方法，其包括：获得与等离子体系统的部件相关联的多个参数的多个测量值；根据所述多个参数的所述多个测量值确定与所述等离子体系统的所述部件相关联的电阻；获得与所述等离子体系统的所述部件相关联的所述多个参数中的一个参数的第一值；根据所述电阻和所述多个参数中的所述一个参数的所述第一值确定与所述等离子体系统的所述部件相关联的第一RF功率损耗量；基于所述第一RF功率损耗量调整RF发生器的操作设定点，其中执行基于所述第一RF功率损耗量调整所述RF发生器的操作设定点以控制所述RF发生器在第二设定点操作；获得与所述等离子体系统的所述部件相关联的所述多个参数中的所述一个参数的第二值；根据所述电阻和所述多个参数中的所述一个参数的所述第二值确定第二RF功率损耗量；以及基于所述第二RF功率损耗量调整所述RF发生器的所述操作设定点，其中，执行所述基于所述第二RF功率损耗量调整所述RF发生器的所述操作设定点以控制所述RF发生器在第三设定点操作，其中，基于所述第一RF功率损耗量和所述第二RF功率损耗量来调整所述操作设定点以补偿RF功率损耗。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。