买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010948459.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在基底上形成核心材料层；对核心材料层进行掺杂，适于提高核心材料层的耐刻蚀度，掺杂的核心材料层作为抗刻蚀层，未掺杂的核心材料层作为初始核心层；形成贯穿与抗刻蚀层的侧壁相接触的部分初始核心层的间隙，剩余的初始核心层作为核心层；形成贯穿位于第一侧壁和第二侧壁之间的部分抗刻蚀层的沟槽；在沟槽的侧壁上形成填充间隙的掩膜侧墙，位于沟槽侧壁的掩膜侧墙围成第一凹槽；形成第二凹槽，贯穿位于第一凹槽和第二侧壁上的掩膜侧墙之间的抗刻蚀层；去除核心层形成第三凹槽；以掩膜侧墙和抗刻蚀层为掩膜，图形化第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目标层。本发明实施例提高目标图形的精度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层；在所述基底上形成核心材料层；对所述核心材料层进行离子掺杂，适于提高所述核心材料层的耐刻蚀度，掺杂有离子的所述核心材料层作为抗刻蚀层，未掺杂有离子的所述核心材料层作为初始核心层，所述初始核心层沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列，所述第一方向和第二方向相垂直；形成贯穿与所述抗刻蚀层的侧壁相接触的部分初始核心层的间隙，剩余的所述初始核心层作为核心层，沿所述第二方向相邻所述核心层相对的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁；形成贯穿位于所述第一侧壁和第二侧壁之间的部分抗刻蚀层的沟槽，所述沟槽暴露出所述第一侧壁，且与位于所述第二侧壁上的间隙之间具有间隔；在所述沟槽的侧壁上形成掩膜侧墙，填充所述间隙，位于所述沟槽侧壁的所述掩膜侧墙围成第一凹槽；形成第二凹槽，贯穿位于所述第一凹槽和所述第二侧壁上的掩膜侧墙之间的抗刻蚀层；去除所述核心层，形成第三凹槽；以所述掩膜侧墙和抗刻蚀层为掩膜，图形化所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目标层，形成目标图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。