恭喜浙江金洲电子科技有限公司姜岩峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江金洲电子科技有限公司申请的专利一种超低功耗类神经电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112311384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010952287.3,技术领域涉及:H03K19/094;该发明授权一种超低功耗类神经电路是由姜岩峰;潘光臣;王群亮设计研发完成,并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低功耗类神经电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超低功耗类神经电路,属于神经电路技术领域。包括:光电接收器、放大器、镜像电流源的比较器;所述光电接收器、放大器、镜像电流源的比较器级联,放大器、镜像电流源的比较器具有公共部分;放大器将光电接收器的输入信号进行放大,光电接收器用于产生类神经信号,放大器用于将输入的类神经信号放大。本发明的电路由两个反相器组成的放大器与五个晶体管组成的比较器相结合,在维持原有功能的同时,有效地减少了电路中的支路数量,进而降低类神经模块的功耗。
本发明授权一种超低功耗类神经电路在权利要求书中公布了:1.一种超低功耗类神经电路,其特征在于,包括:光电接收器、放大器、镜像电流源的比较器;所述光电接收器、放大器、镜像电流源的比较器级联,放大器、镜像电流源的比较器具有公共部分;放大器将光电接收器的输入信号进行放大,光电接收器用于产生类神经信号,放大器用于将输入的类神经信号放大;镜像电流源的比较器为双端输入单端输出结构;当膜电压Vmem高于阈值电压Vthr时,镜像电流源的比较器输出端电压Vc为低电平,反之,为高电平;所述镜像电流源的比较器包括四个MOS器件M0、M1、M3、M4;MOS器件M0的漏极与MOS器件M3的漏极连接;MOS器件M0的源极与MOS器件M1的源极连接,MOS器件M1的漏极与MOS器件M4的漏极连接,MOS器件M3的栅极与MOS器件M4的栅极连接,MOS器件M3的栅极与MOS器件M3的漏极连接;MOS器件M3的源极与MOS器件M4的源极分别与电源电压连接,MOS器件M1的栅极为负端输入,并与膜电压Vmem的输入端连接;所述放大器包括四个MOS器件M1、M4、M5、M6;其中,M1、M4是放大器与镜像电流源的比较器的公共部分;MOS器件M5的栅极与MOS器件M5的栅极连接;MOS器件M1、M4的漏极之间与MOS器件M5、M6的栅极之间连接,并将MOS器件M1、M4的漏极之间的输出作为比较器输出端电压Vc,MOS器件M5、M6的漏极之间连接输出端电压Vout;还包括尾电流源电路,包括MOS器件M2;MOS器件M0、M1的源极之间与MOS器件M2的漏极连接;还包括支路电流源电路,包括MOS器件M7;MOS器件M7的漏极与膜电压Vmem的输入端连接,膜电压Vmem的输入端设有输入电流端Iin,Iin与电源电压连接;MOS器件M7的栅极与MOS器件M2的栅极连接,MOS器件M7的栅极还与输出端电压Vout连接;MOS器件M7宽长比在1:1至100:1范围内。
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