恭喜优美科触媒日本有限公司小系祐介获国家专利权
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龙图腾网恭喜优美科触媒日本有限公司申请的专利废气净化用催化剂、废气的净化方法和废气净化用催化剂的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114340784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080062964.2,技术领域涉及:B01J23/44;该发明授权废气净化用催化剂、废气的净化方法和废气净化用催化剂的制造方法是由小系祐介;F·道恩豪斯设计研发完成,并于2020-10-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本废气净化用催化剂、废气的净化方法和废气净化用催化剂的制造方法在说明书摘要公布了:废气净化用催化剂,其包含:三维结构体10,和载持于所述三维结构体10、包含含有铂和钯的贵金属复合体22和多孔体21的所述催化剂成分100,所述铂的表面富集率CPt为0.00070以上且0.01000以下,所述钯的表面富集率CPd为0.00800以上且0.10000以下,所述表面富集率CPt用CPt=PXPSPtd2×PTEMPt×0.01表示,所述表面富集率CPd用CPd=PXPSPdd2×PTEMPd×0.01表示。
本发明授权废气净化用催化剂、废气的净化方法和废气净化用催化剂的制造方法在权利要求书中公布了:1.废气净化用催化剂,其包含:三维结构体,和载持于所述三维结构体的催化剂成分,所述催化剂成分包含含有铂和钯的贵金属复合体、和多孔体,其中,所述贵金属复合体相对于所述多孔体的平均浓度高于所述多孔体的中心处的所述贵金属复合体的浓度,并且不是核-壳状态,所述铂的表面富集率C(Pt)为0.00110以上且0.00400以下,所述钯的表面富集率C(Pd)为0.01500以上且0.07000以下,所述钯的表面富集率C(Pd)相对于所述铂的表面富集率C(Pt)的比C(Pd)C(Pt)为13.5以上且23以下,所述表面富集率C(Pt)用C(Pt)=PXPS(Pt)(d2×PTEM(Pt)×0.01)表示,所述表面富集率C(Pd)用C(Pd)=PXPS(Pd)(d2×PTEM(Pd)×0.01)表示,所述d表示通过X射线衍射法(XRD)求出的所述贵金属复合体的微晶直径,所述PXPS(Pt)表示通过X射线光电子能谱法(XPS)求出的所述铂相对于催化剂成分的质量百分比浓度,所述PXPS(Pd)表示通过X射线光电子能谱法(XPS)求出的所述钯相对于催化剂成分的质量百分比浓度,所述PTEM(Pt)表示通过透射电子显微镜‐能量色散X射线能谱法(TEM-EDS)求出的所述铂相对于所述贵金属复合体的质量百分比浓度,所述PTEM(Pd)表示通过透射电子显微镜‐能量色散X射线能谱法(TEM-EDS)求出的所述钯相对于所述贵金属复合体的质量百分比浓度,所述d为1nm以上且50nm以下。
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