恭喜台湾积体电路制造股份有限公司高琬贻获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011204985.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及方法是由高琬贻;张哲豪;卢永诚;徐志安设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；沿鳍的相对侧壁形成第一隔离区域；在鳍之上形成栅极结构；在鳍中与栅极结构相邻地形成外延源极漏极区域；在外延源极漏极区域之上和栅极结构之上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层之上形成保护层，该保护层包括氮氧化硅；以及在保护层之上形成第二隔离材料，其中形成第二隔离材料降低了保护层的氮浓度。
本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底延伸的鳍；沿着所述鳍的相对侧壁形成第一隔离区域；在所述鳍之上形成虚设栅极结构；在所述鳍中与所述虚设栅极结构相邻地形成外延源极漏极区域；在所述外延源极漏极区域之上和所述虚设栅极结构之上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层之上形成保护层，所述保护层包括氮氧化硅；在所述保护层之上形成第二隔离材料，其中，形成所述第二隔离材料包括执行退火工艺，所述退火工艺降低了所述保护层的氮浓度，其中，所述退火工艺包括控制退火温度或退火持续时间，使得所述保护层中的氮浓度降低至少百分之八十；以及在执行所述退火工艺之后，用替换栅极结构来替换所述虚设栅极结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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