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龙图腾网恭喜信越化学工业株式会社申请的专利有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113050373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011564357.4，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物是由郡大佑;中原贵佳;美谷岛祐介;野田和美设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物在说明书摘要公布了：本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供用以形成兼顾高程度的填埋特性高程度的平坦化特性和基板间的优良的密合力的有机膜的有机膜材料。提供含有下列通式1表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。该通式1中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示2～10的整数，R1为下式2～4中的至少一者以上；该通式3中，l1表示0或1；该通式4中，l2表示0或1。

本发明授权有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物在权利要求书中公布了：1.光刻使用的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜或半导体制造用有机平坦膜，其特征为，是由包含下列通式1表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料形成的； 该通式1中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示2～10的整数，R1为下列通式2～4中的至少一者以上； 该通式2中，＊代表对于前述有机基团X的键结部位，Ra及Rb表示碳数1～10的直链或分支状的饱和或不饱和的烃基，Rc表示氢原子、甲基或苯基，m1及m2表示0或1的整数，n2及n3表示1～7的整数，符合1≤n2+n3≤7的关系，n4表示1～10的整数； 该通式3中，＊代表对于前述有机基团X的键结部位，Rd及Re表示氢原子、或碳数1～10的直链或分支状的饱和或不饱和的烃基，Rf表示氢原子、甲基或苯基，m3及m4表示0或1的整数，n5及n6表示1～7的整数，符合1≤n5+n6≤7的关系；l1表示1，氧原子作为醚键而形成芳香环间的桥联结构； 该通式4中，＊代表对于前述有机基团X的键结部位，Rg及Rh表示氢原子、或碳数1～10的直链或分支状的饱和或不饱和的烃基，m5及m6表示0或1的整数，n7及n8表示1～7的整数且符合1≤n7+n8≤7的关系；l2表示0或1，l2＝1时，氧原子作为醚键而形成芳香环间的桥联结构，l2＝0时，不存在成为芳香环间的桥联结构的醚键。

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