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龙图腾网恭喜量子运动科技有限公司申请的专利量子点装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180020732.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权量子点装置是由迈克尔·福加蒂;约翰·莫顿设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子点装置在说明书摘要公布了：提供了一种用于限制电荷载流子的硅基量子装置。该装置包括：衬底，其具有第一平面区域137；硅层32，其形成衬底的一部分并且包括具有边缘34和第二平面区域135的台阶33，其中第二平面区域135大体上平行于第一平面区域137并且从第一平面区域137偏移；第一电绝缘层42，其设置在硅层32上、覆盖台阶33；第一金属层51，其设置在第一电绝缘层42上、覆盖台阶33、被布置成电连接，使得可以诱发第一限制区域10，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在边缘34处的第一约束区域10中；以及第二金属层52，其设置成覆盖硅层的第二平面区域135，其中第二金属层：与第一金属层51电隔离；并且被布置成电连接，使得可以诱发第二限制区域11，可以将电荷载流子或多个电荷载流子限制在第二限制区域中，第二限制区域仅在硅层32的在第二金属层52下方的第二平面区135中，并且第一限制区域10可耦合至第二限制区域11；其中，第一限制区域10在垂直于边缘34的方向上从第二限制区域11移位。还提供了一种组装硅基量子装置的方法和一种使用硅基量子装置的方法。

本发明授权量子点装置在权利要求书中公布了：1.一种用于限制电荷载流子的硅基量子装置，所述装置包括：衬底，所述衬底具有第一平面区域；硅层，所述硅层形成所述衬底的一部分，并且所述硅层包括具有边缘和第二平面区域的台阶，其中所述第二平面区域大体上平行于所述第一平面区域并且从所述第一平面区域偏移；第一电绝缘层，所述第一电绝缘层设置在所述硅层上、覆盖所述台阶；第一金属层，所述第一金属层设置在所述第一电绝缘层上、覆盖所述台阶、被布置为电连接，使得当偏压电位施加至所述第一金属层时能诱发第一限制区域，将电荷载流子或多个电荷载流子约束在所述边缘处的所述第一限制区域中；以及第二金属层，所述第二金属层被设置为覆盖所述硅层的第二平面区域，其中所述第二金属层是：与所述第一金属层电隔离；以及被布置为电连接，使得当偏压电位施加至所述第二金属层时能诱发第二限制区域，将电荷载流子或多个电荷载流子约束在所述第二限制区域中，所述第二限制区域仅在所述硅层的在所述第二金属层下方的所述第二平面区域中，并且所述第一限制区域能够耦合到所述第二限制区域；其中所述第一限制区域在垂直于所述边缘的方向上从所述第二限制区域移位。

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