恭喜力晶积成电子制造股份有限公司张守仁获国家专利权
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龙图腾网恭喜力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110371035.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构是由张守仁;吕俊麟;陈俊丞设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构在说明书摘要公布了：本发明提出了一种测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构，包含一硅穿孔区域，其中形成有多个硅穿孔、以及一交换器电路，具有多条行线与多条列线构成可寻址式测试阵列，其中每个该硅穿孔的两端分别与一条该行线与一条该列线连接，该交换器电路通过一条该列线发送测试电压信号至同一列的该些硅穿孔，并通过该些行线接收行经该列硅穿孔的电流信号，或者该交换器电路通过一条该行线发送测试电压信号至同一行的该些硅穿孔，并通过该些列线接收行经该行硅穿孔的电流信号。
本发明授权测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构在权利要求书中公布了：1.一种测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构，其特征在于，包含：硅穿孔区域，其中形成有多个硅穿孔；以及交换器电路，具有多条行线与多条列线构成可寻址式测试阵列，其中每个该硅穿孔的两端分别与一条该行线与一条该列线连接，该交换器电路通过一条该列线发送测试电压信号至同一列的该些硅穿孔，并通过该些行线接收行经该列硅穿孔的电流信号，或者该交换器电路通过一条该行线发送测试电压信号至同一行的该些硅穿孔，并通过该些列线接收行经该行硅穿孔的电流信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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