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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110429310.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由王士京设计研发完成，并于2021-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，方法包括：形成保形覆盖目标层顶部、以及核心层顶部和侧壁的掩膜侧墙层，在第一区域中，与开口延伸方向相垂直的方向上，位于核心层的相对侧壁上的掩膜侧墙层之间具有最小间隔值；形成保形覆盖掩膜侧墙层的研磨停止层，研磨停止层的厚度大于或等于最小间隔值的一半；形成覆盖研磨停止层顶部的填充材料层；平坦化填充材料层，剩余的填充材料层作为填充层，且填充层的顶部与第一区域中的研磨停止层的顶部相齐平；以掩膜侧墙层的顶部为停止位置，刻蚀去除高于掩膜侧墙层顶部的研磨停止层和填充层，剩余的研磨停止层和填充层的顶部与掩膜侧墙层的顶部齐平。降低了掩膜侧墙层的顶部和侧壁产生缺陷的概率。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成目标图形的目标层，所述基底包括第一区域和第二区域，形成于所述第一区域的相邻所述目标图形的节距小于形成于所述第二区域的相邻所述目标图形的节距，所述第一区域的目标层顶部形成有核心层，所述核心层中形成有贯穿所述核心层的开口；形成保形覆盖所述目标层顶部、以及所述核心层顶部和侧壁的掩膜侧墙层，在所述第一区域中，与所述开口延伸方向相垂直的方向上，位于所述核心层的相对侧壁上的掩膜侧墙层之间具有最小间隔值；形成保形覆盖所述掩膜侧墙层的研磨停止层，所述研磨停止层的厚度大于或等于所述最小间隔值的一半；形成覆盖所述研磨停止层顶部的填充材料层；平坦化所述填充材料层，剩余的所述填充材料层作为填充层，且所述填充层的顶部与所述第一区域中的研磨停止层的顶部相齐平；形成所述填充层后，以所述掩膜侧墙层的顶部为停止位置，刻蚀去除高于所述掩膜侧墙层顶部的所述研磨停止层和填充层，剩余的所述研磨停止层和填充层的顶部与所述掩膜侧墙层的顶部齐平。

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