恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈建汉获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构与其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110436335.8，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构与其制作方法是由陈建汉;邱建智;张世郁;林大为;陈逸棠设计研发完成，并于2021-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构与其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构与其制作方法。半导体内连线结构包括导电线路电性耦接至主动半导体装置，第一蚀刻停止层形成于导电线路上；第一介电层，形成于第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层形成于第一介电层上；第二介电层形成于第二蚀刻停止层上；以及内连线结构电性耦接至导电线路并延伸穿过第一蚀刻停止层、第一介电层、第二蚀刻停止层、与第二介电层。内连线结构包括通孔，延伸穿过第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层、与第一介电层；以及沟槽，延伸穿过第二介电层。
本发明授权半导体结构与其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：一导电线路；一第一蚀刻停止层，形成于该导电线路上；一第一介电层，形成于该第一蚀刻停止层上；一第二蚀刻停止层，形成于该第一介电层上；一第二介电层，形成于该第二蚀刻停止层上；以及一内连线结构，电性耦接至该导电线路并延伸穿过该第一蚀刻停止层、该第一介电层、该第二蚀刻停止层、与该第二介电层，且该内连线结构包括：一通孔，延伸穿过该第一蚀刻停止层、该第二蚀刻停止层、与该第一介电层；一沟槽，延伸穿过该第二介电层；以及一绝缘层，形成于该第二蚀刻停止层与该第二介电层之间，其中该通孔与该沟槽的一接面对齐该第二蚀刻停止层与该绝缘层之间的一界面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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