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龙图腾网恭喜乐金显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110705289.7，技术领域涉及：G09G3/32；该发明授权显示装置是由申星修;柳元相;李相杰设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：公开了一种显示装置，包括：包括显示区域和非显示区域的基板；位于非显示区域中的第一薄膜晶体管；以及位于显示区域中的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管。第二薄膜晶体管包括：包括第一氧化物半导体的第二半导体图案和第三半导体图案；与第二半导体图案交叠的第二栅极电极；与第三半导体图案交叠的第三栅极电极；以及连接至第二半导体图案和第三半导体图案的第二源极电极和第二漏极电极。第三薄膜晶体管包括：包括第一氧化物半导体的第四半导体图案；与第四半导体图案交叠的第四栅极电极；以及连接至第四半导体图案的第三源极电极和第三漏极电极。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括：包括显示区域和非显示区域的基板；位于所述非显示区域中的第一薄膜晶体管；以及位于所述显示区域中的第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和存储电容器，其中，所述第一薄膜晶体管包括：包括第一多晶硅的第一半导体图案；与所述第一半导体图案交叠的第一栅极电极；以及连接至所述第一半导体图案的第一源极电极和第一漏极电极，其中，所述第二薄膜晶体管包括：包括第一氧化物半导体的第二半导体图案和第三半导体图案；与所述第二半导体图案交叠的第二栅极电极；与所述第三半导体图案交叠的第三栅极电极；通过接触孔连接至所述第二半导体图案和所述第三半导体图案的第二源极电极和第二漏极电极；在所述第二半导体图案和所述第二栅极电极之间的第一层间绝缘膜；在所述第二半导体图案和所述第一层间绝缘膜之间的第二栅极绝缘膜；在所述第二半导体图案和所述第三半导体图案之间的上缓冲层；在所述第三半导体图案和所述第三栅极电极之间的第三栅极绝缘膜；以及在所述第二半导体图案、所述第二栅极电极、所述第三半导体图案和所述第三栅极电极上的第二层间绝缘膜，所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述第二层间绝缘膜上，其中，所述第三薄膜晶体管包括：包括第一氧化物半导体的第四半导体图案；与所述第四半导体图案交叠的第四栅极电极；以及连接至所述第四半导体图案的第三源极电极和第三漏极电极，其中，所述存储电容器包括：连接至存储供应线的上存储电极；以及设置在所述基板与所述上存储电极之间的下存储电极，并且其中，所述上存储电极与所述第二薄膜晶体管的第二半导体图案或第三半导体图案设置在同一层上，其中，所述第二栅极绝缘膜、所述上缓冲层、所述第三栅极绝缘膜和所述第二层间绝缘膜具有比所述第一层间绝缘膜低的氢粒子含量，其中，所述存储供应线、所述第一源极电极和所述第一漏极电极与所述第二源极电极、所述第二漏极电极、所述第三源极电极和所述第三漏极电极设置在同一层上，并且其中，所述上存储电极包括通过对所述第二半导体图案或所述第三半导体图案的源极区和漏极区进行导电化的过程而形成的导电区。

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