恭喜杭州美迪凯光电科技股份有限公司葛文志获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州美迪凯光电科技股份有限公司申请的专利一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法及光学镀膜半导体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110842610.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法及光学镀膜半导体是由葛文志;翁钦盛;王刚;陈银培;丁宇能;周洋;陈博设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法及光学镀膜半导体在说明书摘要公布了：本发明提供一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法及光学镀膜半导体，该方法通过将光刻胶涂布在半导体晶圆基板表面并在半导体晶圆基板的表面划分为透光区和遮光区，让然后采用光刻工艺在所述透光区刻画图案再进行光学薄膜的沉积，将高折射率或低折射率材料的光学薄膜膜层交错堆叠在所述透光区表面，使得所述透光区和所述遮光区交界处膜层厚度梯度变化，最后去除所述光刻胶即可。该方法获得的光学镀膜半导体在竖直方向上，IRC层的远离基板的边缘与涂胶背胶面的边缘不重叠，在保证其正常的电性能的前提下附加光学性能，附加的光学性能使产品精度大大提高，具有很高的推广价值。
本发明授权一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法及光学镀膜半导体在权利要求书中公布了：1.一种光学镀膜半导体晶圆嫁接方法，其特征在于：包括，1将光刻胶涂布在半导体晶圆基板表面；2将所述半导体晶圆基板的表面划分为透光区和遮光区；3用光刻胶将所述遮光区进行保护，采用光刻工艺在所述透光区刻画图案；4待光刻工艺完成后进行光学薄膜的沉积，将高折射率和低折射率材料的光学薄膜膜层交错堆叠在所述透光区表面，所述透光区和所述遮光区交界处1.5-3.5um范围区域膜层厚度梯度变化，涂胶时形成梯形的高度与其宽度之比为1.45：1.65或1.5：1.55，且垂直方向上IRC层的远离基板的边缘与涂胶背胶面的边缘不重叠；5去除所述光刻胶；所述光学镀膜半导体晶圆用于生物识别。
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