恭喜英飞凌科技股份有限公司克里斯蒂安·菲利普·桑多获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利包括多个沟槽的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110886763.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权包括多个沟槽的半导体装置是由克里斯蒂安·菲利普·桑多;马泰奥·达伊内塞设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括多个沟槽的半导体装置在说明书摘要公布了：提出了一种半导体装置100。该半导体装置100包括从第一主表面106延伸到半导体本体104中的多个沟槽102。多个沟槽102中的第一组沟槽1021包括栅电极1081。多个沟槽102中的第二组沟槽1022包括源电极1082。多个沟槽102中的第三组沟槽1023的包括辅助电极1083。源电极1082经由源极布线112和辅助电极1083电耦接至源极接触区110。源极布线112和辅助电极1083串联电连接在源极接触区110与源电极1082之间。
本发明授权包括多个沟槽的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置100，包括：从第一主表面106延伸到半导体本体104中的多个沟槽102，其中，所述多个沟槽102中的第一组沟槽1021包括栅电极1081，所述多个沟槽102中的第二组沟槽1022包括源电极1082，并且所述多个沟槽102中的第三组沟槽1023包括辅助电极1083；以及所述源电极1082经由源极布线112和辅助电极1083电耦接至源极接触区110，并且所述源极布线112和所述辅助电极1083串联电连接在所述源极接触区110与所述源电极1082之间。
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