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龙图腾网恭喜无锡沐创集成电路设计有限公司申请的专利一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111645019.8，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构是由朱敏;朱文昭;杨博翰;吴有余设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，涉及半导体集成电路技术领域，该版图结构包括：P型衬底以及P型衬底表面的多个独立的N型阱区，若干组独立的熵源电路分别制作于各个N型阱区内，从物理根本上降低不同熵源电路之间相互串扰的问题；每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，隔离阱区的底部和四周均被N型阱区包围实现隔离，熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件且制作形成于隔离阱区内，利用N型阱区的第二深阱区域与环形的第一浅阱区域相互配合形成一个立体容器，就可以将P型的隔离阱区围在里面，从而从物理上阻断了P型阱区直接与P型衬底的接触，减小熵源电路不同部分之间的噪声影响。

本发明授权一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构在权利要求书中公布了：1.一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，其特征在于，包括：P型衬底以及所述P型衬底表面的多个独立的N型阱区，不同的N型阱区之间通过P型阱区实现隔离；每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，所述隔离阱区的底部和四周均被所述N型阱区包围实现隔离，阻断了P型的隔离阱区直接与P型衬底的接触；若干组独立的熵源电路分别制作于各个所述N型阱区内，每组熵源电路中包括NMOS器件和PMOS器件，所述熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件，且隔离型NMOS器件制作于所述N型阱区内的隔离阱区内，隔离型NMOS器件包括P型衬底、P型的隔离阱区、隔离阱区底部的第二深阱区域、形成在P型的隔离阱区表面的N型重掺杂注入区以及在P型的隔离阱区上的多晶硅栅层，并引出隔离型NMOS器件的栅端、漏端、源端以及衬底端；所述熵源电路中的PMOS器件制作于所述N型阱区内除隔离阱区外的区域内，PMOS器件包括P型衬底、N型阱区内除隔离阱区外的区域、形成在N型阱区表面的P型重掺杂注入区以及在N型阱区内除隔离阱区外的区域上的多晶硅栅层，并引出PMOS器件的栅端、漏端、源端以及衬底端；PMOS器件与隔离型NMOS器件交替形成，使得任意两个PMOS器件的N型阱之间通过P型阱实现隔离。

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