恭喜三星电子株式会社徐荣德获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210181050.9，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法是由徐荣德;金真怜;朴世桓;朴一汉设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索OVS电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。
本发明授权非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括：存储器块，其包括连接到第一字线的第一存储器区域；以及控制逻辑，其包括：片上谷搜索OVS电路，其被配置为对所述存储器块执行OVS读出操作；以及第一缓冲存储器，其被配置为存储至少一个变化表，所述至少一个变化表包括从所述OVS读出操作获得的连接到所述第一字线的存储器单元的阈值电压的变化信息，其中，所述控制逻辑被配置为：响应于由存储器控制器施加的第一读取命令对所述第一存储器区域执行第一读取操作，所述第一读取操作包括响应于所述第一读取命令的第一OVS读出操作和第一主读出操作，所述第一OVS读出操作以第一OVS读出电平被执行，并且所述第一主读出操作以反映所述变化信息的第一主读出电平被执行。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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