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龙图腾网恭喜普乐新能源科技(泰兴)有限公司申请的专利一种硅片原位掺杂方法及电池制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211020750.6，技术领域涉及：H01L21/223；该发明授权一种硅片原位掺杂方法及电池制备方法是由欧文凯;董思敏;向亮睿设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片原位掺杂方法及电池制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅片原位掺杂方法及电池制备方法，属于太阳能电池技术领域。包括以下步骤：第一阶段：向装载有硅片的腔室内通入乙硅烷，在硅片背面沉积得到氢化非晶硅层；第二阶段：于腔室内通入乙硅烷、和硼烷或磷烷，在氢化非晶硅层的背面分别沉积得到硼掺杂非晶硅层或磷掺杂非晶硅层；第一阶段和第二阶段中腔室温度控制在450℃~500℃。本发明中LPCVD工艺使用乙硅烷替代甲硅烷为生长源，减少原位掺杂的负面影响，具有更低的生长温度450℃‑500℃，保证膜的质量，同时兼备更快的生长速率，有着更低的功耗，降低了生产成本，薄膜均匀性好，掺杂浓度可调性好，提高了电池转化效率。

本发明授权一种硅片原位掺杂方法及电池制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片原位掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：第一阶段：向装载有硅片的腔室内通入乙硅烷，在硅片背面沉积得到氢化非晶硅层；第二阶段：于腔室内通入乙硅烷、和硼烷或磷烷，在氢化非晶硅层的背面分别沉积得到硼掺杂非晶硅层或磷掺杂非晶硅层；第一阶段和第二阶段中腔室温度控制在475℃~500℃；第一阶段中乙硅烷受热发生气相反应分解得到产物，产物在硅片背面沉积形成氢化非晶硅层；第二阶段中乙硅烷受热发生气相反应分解得到产物，该产物在氢化非晶硅层的背表面上与硼烷或磷烷竞争，促进硼掺杂非晶硅层或磷掺杂非晶硅层的沉积；所述第一阶段内的乙硅烷的通入方式为：管内前、后路通入乙硅烷；两路中乙硅烷的量分别为600~700sccm、500~600sccm，每次持续通源生长1~5min，其中sccm为体积流量单位；所述第二阶段内的乙硅烷和硼烷的通入方式为：管内前、后路通入预定比例的乙硅烷和硼烷混合物；两路中乙硅烷与硼烷的量分别：乙硅烷700~800sccm、硼烷85~95sccm，乙硅烷650~750sccm、硼烷75~85sccm；每次持续通源生长10~20min，得到硼掺杂非晶硅层为30~60nm；所述第二阶段内的乙硅烷和磷烷的通入方式为：管内前、后路通入预定比例的乙硅烷和磷烷混合物；两路中乙硅烷与磷烷的量分别：乙硅烷700~800sccm、磷烷85~95sccm，乙硅烷650~750sccm、磷烷75~85sccm，每次持续通源生长10~20min，得到生长磷掺杂非晶硅层为30~60nm。

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