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龙图腾网恭喜西南交通大学申请的专利用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115477276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029524.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用是由余丙军;吴磊;陈婷婷;崔立聪;钱林茂设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用，该方法的加工步骤为：首先采用微纳刻划设备对单晶硅样品进行刻划，再置入硅烷和乙醇的混合溶液中，使硅烷分子充分吸附在刻划区域；然后采用刻蚀溶液对单晶硅样品进行选择性刻蚀，刻蚀出具有微米级高度和厘米级长度的硅凸结构；再采用微纳刻划设备刻划具有硅凸结构的单晶硅表面，然后再次选择性刻蚀，从而形成具有纳米级高度的凸结构，完成混合尺度纳凸模具结构加工。本发明利用两次扫描探针技术实现了单晶硅表面具有混合尺度特征的凸模具集成加工，加工流程简单、成本低，可以提高纳流体芯片的生产效率。

本发明授权用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法，其特征在于，加工步骤如下：S1、采用微纳刻划设备一在洁净的单晶硅样品表面按预定轨迹进行第一次刻划加工，暴露出刻划区域的单晶硅衬底；所述微纳刻划设备一刻划时所用的接触压力为11-20GPa；S2、将步骤S1中第一次刻划后的单晶硅样品置入混合溶液中浸泡，使硅烷分子充分吸附在刻划区域，用于提升刻划区域的抵抗刻蚀的能力；所述混合溶液为硅烷和乙醇混合，或硅氧烷和乙醇混合；所述浸泡时间为1-3h；S3、采用刻蚀溶液对步骤S2所处理的单晶硅样品进行选择性刻蚀，从而刻蚀出具有微米级高度和厘米级长度的硅凸结构；S4、采用微纳刻划设备二对步骤S3中具有硅凸结构的单晶硅表面进行第二次刻划，在单晶硅表面形成纳米级划痕；所述微纳刻划设备二刻划时所用的接触压力为11-13GPa，速度为1-100μms；S5、将步骤S4所得的单晶硅样品再次浸入刻蚀溶液中进行选择性刻蚀，形成具有纳米级高度的凸结构；其中，所述微纳刻划设备一的曲率半径大于微纳刻划设备二；所述微纳刻划设备一采用曲率半径为微米级的金刚石探针一；所述微纳刻划设备二采用曲率半径为20-50nm的金刚石探针二。

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