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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种单馈大频比三频共口径天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115603053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211171256.X，技术领域涉及：H01Q5/20；该发明授权一种单馈大频比三频共口径天线是由邓秋君;陈楷升;左丽设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单馈大频比三频共口径天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单馈大频比三频共口径天线，涉及5G通讯技术，针对现有技术中三频天线口径共用低等问题提出本方案。主要通过将微波贴片天线单元放置在双毫米波频段天线单元的的上方，使得双毫米波频段天线单元作为微波贴片天线单元的辐射地板实现共口径的结构复用。巧妙地采用在双毫米波频段天线单元的大矩形SIW腔体中划分四个小腔体以及四个L型辐射缝隙，可以极大提高双毫米波频段的天线增益，采用微带单输入馈电将能量通过十字交叉缝隙和金属柱分别耦合引入，微带上添加CMRC及SIW本身特性，使得高低频隔离度高，两天线单元可调性更为灵活。最终实现一种单馈电、双辐射单元、三频段工作的共口径5G天线。

本发明授权一种单馈大频比三频共口径天线在权利要求书中公布了：1.一种单馈大频比三频共口径天线，其特征在于，包括依次层叠设置的第一介质层10、第一金属层20、第二介质层30、第二金属层40、第三介质层50以及第三金属层60；且每层结构均沿中轴线左右对称；所述的第一介质层10底部铺设有馈电微带线11；所述馈电微带线11沿中轴线延伸，输入端延伸至第一介质层10底边，输出端延伸至靠近第一介质层10顶边的位置；第一介质层10还设有垂直于辐射平面的金属柱13；所述金属柱13一端与馈电微带线11输出端电性连接，另一端贯穿第一介质层10、第一金属层20、第二介质层30、第二金属层40、第三介质层50和第三金属层60，且与第一金属层20、第三金属层60电性连接；馈电微带线11靠近金属柱13的位置还设有低通滤波器12；所述的第一金属层20在金属柱13贯穿点与本层底边之间设有十字耦合缝隙21，所述十字耦合缝隙21的交叉点与中轴线重合，十字耦合缝隙21的缝隙延伸方向均与中轴线成45°夹角；所述的第二介质层30在金属柱13贯穿点与本层底边之间设有基片集成波导腔体31，所述基片集成波导腔体31由多个金属过孔规则排列围蔽而成；基片集成波导腔体31中心位置为耦合区34，耦合区34在垂直位置上与所述十字耦合缝隙21相匹配；基片集成波导腔体31内通过四排毫米波分隔金属过孔32均匀划分为四个14波导腔体；其中左右两排毫米波分隔金属过孔32的排列方向与中轴线垂直，上下两排毫米波分隔金属过孔32的排列方向与中轴线重合；每个14波导腔体内均设有一毫米波匹配金属过孔33；第二介质层30内所有的金属过孔均与上方的第二金属层40和下方的第一金属层20电性连接；所述的第二金属层40呈凸字形，靠近本层顶边的矩形为微波模块48，靠近本层底边的矩形为毫米波模块49；所述毫米波模块49设有与第二介质层30各金属过孔一一相配的开孔；毫米波模块49、第二介质层30和第一金属层20层叠构成矩形基片集成波导；第二金属层40在所述四个14波导腔体的对应位置各设有一L型辐射缝隙46；所述的微波模块48中部设有圆形缝隙44，所述圆形缝隙44与所述金属柱13同轴且与金属柱13之间保持一定距离；所述的第三介质层50在微波模块48对应的位置设有两排微波调节金属过孔52，两排微波调节金属过孔52的排列方向与中轴线平行且对称；微波调节金属过孔52均与上方的第三金属层60和下方的第二金属层40电性连接；微波模块48在各微波调节金属过孔52下方的位置还设有一一相配的开孔；所述的第三金属层60呈凹字形，水平延伸的信号传输段61设置在微波模块48上方并垂直于中轴线向两侧延伸至毫米波模块49之外，信号传输段61两端分别向毫米波模块49平行延伸出辐射段62；信号传输段61在中轴线两侧分别设有与各微波调节金属过孔52一一相配的开孔；在本层的开孔与金属柱13连接点之间还设有两微波调节缝隙64；所述两微波调节缝隙64相对中轴线对称且平行延伸，靠近本层底边的一端为开放式结构。

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