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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种存在位置误差的阵列功率方向图容差分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115563753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168959.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种存在位置误差的阵列功率方向图容差分析方法是由张瑛;丁汀;胡亚捷;梁博轩;文雨农设计研发完成，并于2022-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存在位置误差的阵列功率方向图容差分析方法在说明书摘要公布了：本发明属于天线阵列技术领域，具体涉及一种存在位置误差的阵列功率方向图容差分析方法。本发明提出了一种基于泰勒展开的技术，用于具有阵元位置误差的阵列功率方向图容差分析，并以解析形式推导出受位置误差影响下的阵列功率方向图的上下界限。所提出的技术由于仅涉及对位置变量的一阶偏导与位置扰动量，具有易于实现和无条件判断等优点。经过算例验证，相较于区间算术，通过泰勒展开计算得到的功率方向图边界具有更高的可靠性与稳健性，同时有效提升了对方向图性能参数边界的预测性能，相关结果可为工程中的天线阵列实践提供一定理论参考。

本发明授权一种存在位置误差的阵列功率方向图容差分析方法在权利要求书中公布了：1.一种存在位置误差的阵列功率方向图容差分析方法，用于具有N个阵元组成的线性天线阵列，定义实际的阵列位置向量为d＝[d1,d2,...,dN]T，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、确定受误差影响的阵列阵元位置区间，具体为：定义由N个区间参数组成的区间向量dI：d∈dI＝[dL,dU]＝[dc-△d,dc+△d]其中·I代表区间，和分别是位置区间的下边界和上边界，为位置的理论设置值，△d＝[△d1,△d2,...,△dN]T表示受误差影响下位置的最大偏移量，△d＝dU-dL2；步骤2、确定阵列构型，包括阵元数、阵元间距、工作频率、排布方式，从而获得阵列的远场功率方向图函数Pθ： 其中和AFζθ分别表示阵列因子AFθ的实部与虚部，Θnθ为第n个阵元的相位，Θnθ＝k0dnsinθ-sinθ0，an为第n个阵元的激励幅度，θ0为阵列的波束指向，k0＝2πλ为空间波数，λ为波长，θ为阵列的观测角；步骤3、在步骤1给出的位置区间参数的可行域中，在每一个观测角度下，建立功率方向图的容差分析模型： st.d∈dI步骤4、对存在位置误差的功率方向图函数在各阵元位置的理论值处执行一阶泰勒展开： 其中为方向图函数在理论位置的取值,为对各阵元位置的一阶偏导数组成的向量，o2为余项；步骤5、计算步骤4泰勒展开式中的各项，其中一阶偏导数由下式计算： 步骤6、分析误差对方向图产生的最大影响时的位置变量的取值，具体为根据步骤5给出的一阶泰勒展式中的一次函数关系，取位置区间的端点处{-△dn,△dn,n＝1,...,N}计算误差对方向图产生的最大影响的取值，即当取当取步骤7：根据步骤6中区间变量的取值，得到功率方向图函数在位置误差影响下的上界PLθ与下界PUθ： 得到每个角度下的功率方向图函数在位置误差影响下的上界与下界从而完成容差分析。

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