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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种偏压感应耦合等离子体源优化方法、系统及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115470648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211188157.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种偏压感应耦合等离子体源优化方法、系统及电子设备是由赵明亮;张钰如;高飞;王友年设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种偏压感应耦合等离子体源优化方法、系统及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种偏压感应耦合等离子体源优化方法、系统及电子设备，涉及偏压感应耦合等离子体技术领域，包括：确定偏压感应耦合等离子体源的电场和感应沉积功率密度，进而得到体区流体参数和每个鞘层的鞘层参数；确定并将鞘层对体区的随机加热通量，作为下一次迭代时体区二维流体模型中体区电子能量方程的边界条件，确定偏压感应耦合等离子体源的电场，直至体区流体参数和鞘层参数均收敛，得到时空变化电场；进而确定离子蒙特卡洛碰撞模型，得到极板不同位置处的离子能量分布和离子角度分布。能够同时且快速地确定出偏压感应耦合等离子体源中的离子能量分布和离子角度分布，进而提高优化偏压感应耦合等离子体源放电特性的效率。

本发明授权一种偏压感应耦合等离子体源优化方法、系统及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种偏压感应耦合等离子体源优化方法，其特征在于，包括：获取偏压感应耦合等离子体源的参数；所述参数包括放电气压、功率和腔室尺寸；根据所述参数，确定偏压感应耦合等离子体源的电场和感应沉积功率密度；根据所述感应沉积功率密度确定体区二维流体模型，得到体区流体参数，同时获取鞘层边界处的等离子体密度和电子温度；体区流体参数包括体区的电子密度、离子密度、电子温度和双极静电场；根据鞘层边界处的等离子体密度和电子温度确定多个一维鞘层模型，得到每个鞘层的鞘层参数；鞘层参数包括鞘层中的鞘层电子密度、鞘层离子密度、鞘层电势和鞘层电场；所述一维鞘层模型和偏压感应耦合等离子体源中的鞘层一一对应；判断体区流体参数和鞘层参数是否均收敛，得到判断结果；若所述判断结果为否，则根据鞘层参数确定鞘层对体区的随机加热通量，并将随机加热通量作为下一次迭代时体区二维流体模型中体区电子能量方程的边界条件返回步骤“确定偏压感应耦合等离子体源的电场和感应沉积功率密度”；若所述判断结果为是，则确定最后一次迭代时的鞘层电场为时空变化电场；基于所述时空变化鞘层电场确定离子蒙特卡洛碰撞模型，得到极板不同位置处的离子能量分布和离子角度分布。

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