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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211202126.8，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权半导体器件及其制造方法是由张振兴设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供的半导体结构及其制造方法，由于在以掩膜层为掩膜刻蚀第二金属层时，当形成在第二金属层中的第二开口达到预定深度时，对第二金属层执行去除工艺，以去除至少部分位于第二开口侧壁上的残留物，进而避免最终由第一金属层和第二金属层沟槽的相邻栅线连接，以提升半导体结构性能。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成第一金属层、第二金属层和掩膜层，所述掩膜层具有第一开口，形成所述第二金属层的材料为硅化钨，以及形成所述掩膜层的材料为氮化硅；以所述掩膜层为掩膜，对所述第二金属层执行第一刻蚀工艺，以使所述第一开口延伸至所述第二金属层以形成第二开口，其中，在执行所述第一刻蚀工艺过程中，至少在所述第二开口的侧壁形成有残留物；在所述第二开口的深度达到预定深度时，对所述第二金属层执行去除工艺，以去除至少部分所述残留物，执行所述去除工艺时的功率为：0W～20W；以所述掩膜层为掩膜，对所述第二金属层执行第二刻蚀工艺以扩大所述第二开口，并使所述第二开口延伸至所述第一金属层顶表面；所述第二刻蚀工艺包括：主刻蚀工艺和过刻蚀工艺，以及对所述第二金属层执行第二刻蚀工艺的方法包括：依次对所述第二金属层执行主刻蚀工艺和过刻蚀工艺，其中，所述主刻蚀工艺和所述过刻蚀工艺的刻蚀气体相同，且气体流量配比不同；在执行所述第二刻蚀工艺之后，以所述掩膜层为掩膜，对所述第一金属层执行第三刻蚀工艺，以使得所述第二开口延伸至所述第一金属层以形成第三开口，其中，位于所述第二开口和所述第三开口两侧的所述第二金属层和所述第一金属层分别构成两个栅极；所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺的刻蚀气体均为：氯气、三氟化氮和氧气。

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