恭喜江西兆驰半导体有限公司侯合林获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211212687.6，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管是由侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管的外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层和P型接触层；其中，所述P‑GaN层为O、Be共掺GaN层，O的掺杂浓度为5×1018‑5×1019atomcm3，Be的掺杂浓度为1×1019‑1×1020atomcm3。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
本发明授权发光二极管的外延结构及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和P型接触层；其中，所述P-GaN层包括依次层叠于所述多量子阱层上的第一P-GaN层和第二P-GaN层，所述第一P-GaN层为非掺杂P-GaN层或Be掺GaN层，所述第二P-GaN层为O、Be共掺GaN层；所述第一P-GaN层中Be的掺杂浓度＜所述第二P-GaN层中Be的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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