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龙图腾网恭喜圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利实现各种温度特性电流的偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115543001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211226799.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权实现各种温度特性电流的偏置电路是由崔先宇设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本实现各种温度特性电流的偏置电路在说明书摘要公布了：实现各种温度特性电流的偏置电路，通过将高温修调单元和低温修调单元分别并联于偏置单元，所述高温修调单元和低温修调单元共用偏置电压电路，能够进行温度补偿，有利于用更少面积的电路在偏置电路上实现零温偏置电流，并且还有利于实现各种温度特性的电流。

本发明授权实现各种温度特性电流的偏置电路在权利要求书中公布了：1.实现各种温度特性电流的偏置电路，其特征在于，包括分别并联于偏置单元的高温修调单元和低温修调单元；所述高温修调单元和低温修调单元共用偏置电压电路；所述偏置单元包括栅极互连的第四PMOS管Mp4和第五PMOS管Mp5，Mp4源极和Mp5源极互连后连接电源电压端VCC，Mp5栅漏互连后连接第二NMOS管Mn2的漏极，Mn2的源极通过电阻R接地，Mp4的漏极分别连接第一NMOS管Mn1的漏极和栅极，Mn1栅极和Mn2栅极互连，Mn1的源极接地；所述高温修调单元和低温修调单元分别与Mp4并联，设流过Mp4的电流为I，则流过Mp5的电流为2I；所述高温修调单元包括第三PMOS管Mp3，所述Mp3的源极连接VCC，所述Mp3栅极与所述Mp4栅极互连，所述Mp3的漏极分别连接第八PMOS管Mp8的源极和第九PMOS管Mp9的源极，所述Mp9的栅极连接正向参考电压Vpt端，所述Mp9漏极与所述Mp4漏极互连，所述Mp8的栅极连接偏置电压Vbe端，所述Mp8的漏极接地；所述低温修调单元包括第一PMOS管Mp1，所述Mp1的源极连接VCC，所述Mp1栅极与所述Mp4栅极互连，所述Mp1的漏极分别连接第六PMOS管Mp6的源极和第七PMOS管Mp7的源极，所述Mp6的栅极连接负向参考电压Vnt端，所述Mp6漏极与所述Mp4漏极互连，所述Mp7的栅极连接偏置电压Vbe端，所述Mp7的漏极接地；所述偏置电压电路包括第二PMOS管Mp2，所述Mp2的源极连接VCC，所述Mp2栅极与所述Mp4栅极互连，所述Mp2的漏极连接偏置电压Vbe端，所述Vbe端分别连接NPN三极管BJT的集电极和基极，所述BJT的发射极接地。

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