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龙图腾网恭喜中国人民解放军空军工程大学申请的专利纳秒脉冲介质阻挡放电增压的阵列等离子体合成射流装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115515289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211244113.7，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权纳秒脉冲介质阻挡放电增压的阵列等离子体合成射流装置是由宗豪华;梁华;吴云;宋慧敏设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳秒脉冲介质阻挡放电增压的阵列等离子体合成射流装置在说明书摘要公布了：一种纳秒脉冲介质阻挡放电增压的阵列等离子体合成射流激励器，自上而下包括：顶盖10，高压电极板20，绝缘介质板30和接地金属板40。还提供一种基于上述激励器的纳秒脉冲介质阻挡放电增压的阵列等离子体合成射流装置的工作方法，在一个射流周期内，完整的工作过程包含三个阶段：冲击增压阶段、阵列射流阶段和多孔吸气复原阶段。本发明阵列激励器不需要复杂的负载匹配电路设计或供电电源优化设计，具有接线简单、实现成本低、易于进行大规模扩展、工作频率高、脉冲重复性好等优点。

本发明授权纳秒脉冲介质阻挡放电增压的阵列等离子体合成射流装置在权利要求书中公布了：1.纳秒脉冲介质阻挡放电增压的阵列等离子体合成射流激励器，其特征在于，包括：顶盖10，高压电极板20，绝缘介质板30和接地金属板40；其中顶盖10为绝缘材料制成的矩形体，上表面为方形；顶盖10的外轮廓长度和宽度需要根据实际应用做出适应性设计；顶盖10内部挖空；形成矩形内部空腔，下部开放，当与高压电极板20和绝缘介质板30配合在一起后，形成一个半封闭的、偏平的方形等离子体放电腔体，即激励器腔体105；在顶盖10的上表面，沿着垂直于壁面方向，自下而上加工若干个收敛型射流孔102，射流孔102上小下大；这些射流孔102排成N×M阵列，作为气体自上而下流入和自下而上流出激励器腔体105的喉道；位于顶盖10上表面的喉道出口101为圆形；位于激励器腔体105上表面的喉道入口103也为圆形；射流孔中心轴线垂直于顶盖10上表面，或与顶盖10的法线呈一定的角度；只要保证射流孔102下部入口面积大于上部出口面积，且自下而上、从入口到出口的截面面积是单调减小的；电极板20由薄片状金属板制成；电极板具有稠密的网孔状；每个射流孔102的位置对应一个网孔，二者轴线重合；相邻射流孔的中心间距与相邻网孔的中心间距相同；最外圈网孔与电极板20的边缘均保持一定距离；电极板20的长宽尺寸与激励器腔体105的长宽尺寸基本相同，方便将电极板20自下而上嵌入顶盖10；绝缘介质板30为薄片状矩形体；绝缘介质板30在水平面上的投影与顶盖10投影重合，即二者长、宽尺寸相同；接地金属板40为薄片状矩形体；接地金属板40在水平面上的投影与顶盖10投影重合，即绝缘介质板30、接地金属板40的长、宽尺寸均与顶盖10相同；安装时，绝缘介质板30下表面与接地金属板40上表面紧密结合；顶盖10、电极板20、绝缘介质板30和接地金属板40自上而下依次组装在一起，即构成激励器。

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