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龙图腾网恭喜中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司申请的专利一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115512875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211247695.4，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器是由冯科;张芝民;杨玉;漆锐;陈南菲;段青松;邓惠丹;谭庆设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，属于传感器技术领域。传感器包括保护层I、保护层II、导电种子层I、导电种子层II、粘结层I、粘结层II、绝缘层I、绝缘层II、传感层和环氧树脂。制作方法为：通过电镀、旋涂、光刻、磁控溅射、电子束蒸发、低压化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积等工艺步骤逐层沉积粘结层、绝缘层、传感层、阻挡层、种子层和保护层。本发明能有效保障传感器在恶劣工业环境中的使用效果，并有助于大幅提升其使用寿命。

本发明授权一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器在权利要求书中公布了：1.一种金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器，其特征在于，传感器包括保护层I（101）、保护层II（102）、导电种子层I（201）、导电种子层II（202）、粘结层I（301）、粘结层II（302）、绝缘层I、绝缘层II和传感层；所述保护层I（101）的表面溅射有导电种子层I（201）；所述粘结层I（301）溅射在导电种子层I（201）表面；所述绝缘层I沉积在粘结层I（301）表面；所述绝缘层I包括依次沉积的氧化铝绝缘层I（401）、氮化硅绝缘层I（402）和氧化铝绝缘层II（403）；所述绝缘层I表面溅射有传感层；所述传感层为至少两个热电偶回路串联以形成热电堆；每个热电偶回路均包括溅射在绝缘层I表面的第一传感回路和第二传感回路；所述第一传感回路包括依次溅射的粘结层III（501）、金属传感层I（502）和粘结层IV（503）；所述第二传感回路包括依次溅射的粘结层V（504）、金属传感层II（505）和粘结层VI（506）；所述绝缘层II沉积在粘结层III（501）、粘结层V（504）和氧化铝绝缘层I（401）表面；所述绝缘层II包括依次沉积的氧化铝绝缘层III（601）、氮化硅绝缘层II（602）和氧化铝绝缘层IV（603）；所述粘结层II（302）溅射在氧化铝绝缘层IV（603）表面；所述导电种子层II（202）溅射在粘结层II（302）表面；所述保护层II（102）电镀在导电种子层II（202）之上，保护金属嵌入式微纳米薄膜热流传感器；氧化铝绝缘层I（401）与氧化铝绝缘层III（601）之间沉积有多组热电堆回路，以实现局部区域内的多点检测。

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