恭喜武汉恒贤半导体材料有限公司孙超获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉恒贤半导体材料有限公司申请的专利一种由太阳能薄膜固体废料回收锗的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211435065.X，技术领域涉及：C22B41/00；该发明授权一种由太阳能薄膜固体废料回收锗的工艺方法是由孙超设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种由太阳能薄膜固体废料回收锗的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种由太阳能薄膜固体废料回收锗的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：原材料处理：对薄膜固体废料粉碎处理或剪切处理；消解：在反应器中先加入反应液，后加入经过处理的原料，充分搅拌；转化：加入一定量的氢氧化钠，升温至90℃以上后搅拌0.5h；沉淀过滤：加入一定量的沉淀剂和水，再加入盐酸溶液中和到pH值为4.5‑6.5，缓慢搅拌或静置，过滤得到粗产物；蒸馏：将粗产物转移到蒸馏装置中，加入盐酸，蒸馏收集产品GeCl4。本方法工艺简单，设备条件要求不高，成本低，锗的回收率高。
本发明授权一种由太阳能薄膜固体废料回收锗的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种由太阳能薄膜固体废料回收锗的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对薄膜固体废料粉碎处理或剪切处理；S2、在反应器中先加入反应液，后加入经过处理的原料，充分搅拌；所述反应液是水和次氯酸钠比例为1:0.5~2的溶液；反应液和经过处理后的原料的质量比为8~15:2~5；S3、继续加入一定量的氢氧化钠，升温至90℃以上后搅拌一段时间，充分反应；S4、加入一定量的沉淀剂和水，再加酸中和到pH值为4.5-6.5，缓慢搅拌或静置，过滤得到粗产物；加入沉淀剂和水的质量比为0.001~0.1:100；S5、将粗产物转移到蒸馏装置中，加入盐酸，蒸馏收集产品GeCl4；所述沉淀剂为具有一定水溶性的矿物质，包括镁、钙无机盐。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉恒贤半导体材料有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市江夏区经济开发区龚家铺、何家湖村散装水泥罐车生产基地(一期)1号箱体车间；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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