恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孙晓娟获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115976644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211646481.4，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法是由孙晓娟;吕炳辰;陈洋;张山丽;贲建伟;蒋科;黎大兵设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法，属于半导体技术领域。本发明的方法包括以下步骤：在非晶衬底上转移第一二维材料层并进行处理；在处理后的第一二维材料层上转移第二二维材料层并进行氢化钝化处理；通过范德华外延生长在第一二维材料层和第二二维材料层之间形成二维AlGaN材料预制层；通过同质范德华外延生长，采用两步法生长在第二二维材料层上形成三维AlGaN材料薄膜。本发明采用两层二维材料进一步缓解非晶衬底对外延层的影响，大幅降低应力与位错，提高晶体质量，为AlGaN基光电器件的大面积应用提供了帮助，具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。
本发明授权一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法在权利要求书中公布了：1.一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法，其特征在于，包括以下步骤：在非晶衬底上转移第一二维材料层；对所述第一二维材料层进行处理，以改善所述非晶衬底的外延条件，提供吸附原子成键位点；在处理后的第一二维材料层上转移第二二维材料层，并对所述第二二维材料层进行氢化钝化处理，用以抑制AlGaN材料三维生长，同时为后面二维AlGaN材料的生长提供原子输运通道；提供金属源和N源，范德华外延生长二维AlGaN材料，在所述第一二维材料层和所述第二二维材料层之间形成二维AlGaN材料预制层；同质范德华外延生长AlGaN材料，采用两步法生长，先低温生长成核层，再高温生长，在所述第二二维材料层上形成三维AlGaN材料薄膜。
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