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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利一种背向辐射的异构集成封装天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310009640.8，技术领域涉及：H04L12/06；该发明授权一种背向辐射的异构集成封装天线是由沈一竹;卢森;胡三明设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背向辐射的异构集成封装天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背向辐射的异构集成封装天线，介质基片多层垒叠，第一介质基片作为盖板位于顶层，第二介质基片的中心完全掏空以容纳直流键合线，第三介质基片中心部分刻蚀以放置MMIC芯片，第四介质基片四周削薄以抑制表面波并提升辐射效率；金属屏蔽层附着于介质基片表面，留有矩形耦合窗来规范传输模式；MMIC芯片上设计有片上天线，天线能量经MMIC芯片衬底传递到第三介质基片，并由金属化通孔围栏引导至第四介质基片，最终辐射于空气中。该背向辐射的异构集成封装天线结合了MMIC芯片工艺和多层介质基片工艺，同时实现了天线的高性能设计和系统的小型化封装，能够应用于毫米波、太赫兹频段的大规模相控阵和反向阵系统中。

本发明授权一种背向辐射的异构集成封装天线在权利要求书中公布了：1.一种背向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，包括介质基片、金属屏蔽层、金属化通孔围栏（3）、MMIC芯片（4）和片上天线（5）；所述介质基片共四层，依次垒叠，第一介质基片（11）为完整一块；第二介质基片（12）中心完全掏空，形成上下通透的矩形腔；第三介质基片（13）中心部分刻蚀，保留介质基底；第四介质基片（14）四周削薄，中心向下凸出的矩形介质块；所述金属屏蔽层附着于介质基片表面，第一金属屏蔽层（21）附着于第一介质基片（11）顶面，第二金属屏蔽层（22）介于第一介质基片（11）和第二介质基片（12）之间，第三金属屏蔽层（23）介于第二介质基片（12）和第三介质基片（13）之间，第四金属屏蔽层（24）介于第三介质基片（13）和第四介质基片（14）之间，第五金属屏蔽层（25）附着于第四介质基片（14）底面，第六金属屏蔽层（26）附着于第二介质基片（12）的矩形腔侧面，第七金属屏蔽层（27）附着于第三介质基片（13）的矩形腔侧面，第八金属屏蔽层（28）附着于第三介质基片（13）的矩形腔底面；所述金属化通孔围栏（3）首尾相接，整体呈矩形状，从上至下依次贯穿第八金属屏蔽层（28）、第三介质基片（13）、第四金属屏蔽层（24）、第四介质基片（14）和第五金属屏蔽层（25）；所述MMIC芯片（4）置于第三介质基片（13）的矩形腔内；所述片上天线（5），设置在MMIC芯片（4）上，处于中心位置。

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