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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E₁₀/E₀₁模式旋转器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116009145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310158820.2，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E₁₀/E₀₁模式旋转器及其制备方法是由梁佳琦;尹悦鑫;王春雪;杨赏赐;张大明设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E₁₀/E₀₁模式旋转器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于二氧化硅聚合物嵌入波导的E10E01模式旋转器及其制备方法，属于光子集成芯片制备技术领域。本发明所述E10E01模式旋转器，从下至上，由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层和聚合物上包层成，聚合物芯层为包埋在SiO2下包层之中的嵌入直波导结构，聚合物芯层下表面沿光的传输方向带有贯通的方形凹槽。本发明通过两次ICP刻蚀在二氧化硅层中制备凹槽，再用聚合物填充二氧化硅凹槽，得到的聚合物芯层的侧壁陡直，可以降低器件损耗，提高器件性能。本发明器件具有结构紧凑、损耗低、制备工艺简单成熟、成本低等优点，在光网络中起到器件连接、模式转换等作用，具有着广阔的应用前景。

本发明授权一种基于二氧化硅/聚合物嵌入波导的E₁₀/E₀₁模式旋转器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二氧化硅聚合物嵌入波导的E10E01模式旋转器，其特征在于：从下至上，由Si衬底（1）、SiO2下包层（2）、聚合物芯层（3）和聚合物上包层（7）组成，聚合物芯层（3）为包埋在SiO2下包层（2）之中的嵌入直波导结构，聚合物芯层（3）的上表面与SiO2下包层（2）的上表面位于同一平面，聚合物芯层（3）下表面沿光的传输方向带有贯通的方形凹槽；聚合物上包层（7）位于聚合物芯层（3）和SiO2下包层（2）之上；聚合物芯层（3）的高度和宽度为6μm×6μm，方形凹槽的宽度w为0.5~1μm，高度d为0.5~1μm，方形凹槽距离聚合物芯层（3）边缘的距离s为1~1.5μm，方形凹槽的长度与聚合物芯层（3）的长度L相同为半拍长。

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