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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118693144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310279310.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件是由何乃龙;张森;姚玉恒;刘腾设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区、第一器件区及位于所述高压器件区与低压器件区之间的第一隔离结构，还包括第一隔离区，所述第一隔离区与所述第一隔离结构相连接，所述第一隔离区与第一隔离结构一起将所述第一器件区包围；所述第一隔离区包括：隔离阱，具有第二导电类型，与所述第一隔离结构相连接；第二隔离结构，从所述隔离阱的顶部向下延伸贯穿所述隔离阱的底部，从而使所述第二隔离结构的深度大于所述隔离阱的深度，所述第二隔离结构包括绝缘介质。本发明可以在减小漏电流的同时兼顾器件的击穿电压。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括高压器件区、低压器件区、第一器件区及位于所述高压器件区与低压器件区之间的第一隔离结构，其特征在于，还包括第一隔离区，所述第一隔离区与所述第一隔离结构相连接，所述第一隔离区与第一隔离结构一起将所述第一器件区包围，所述第一隔离区包括：PN结隔离结构，包括第一导电类型区和位于所述第一导电类型区的上方和下方的第二导电类型区，所述PN结隔离结构与所述第一隔离结构相连接；第二隔离结构，从所述PN结隔离结构的顶部向下延伸，所述第二隔离结构包括绝缘介质；所述半导体器件还包括：源极区，具有第一导电类型，位于所述第一隔离结构中，所述源极区为第一器件的源极区；漏极区，具有第一导电类型，位于所述第一器件区，所述漏极区为所述第一器件的漏极区；其中，所述第一器件的部分结构位于所述第一器件区、部分结构位于所述第一器件区的边缘的第一隔离结构中，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

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