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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310305567.9，技术领域涉及：H01P5/12；该发明授权一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器是由罗将;张洪运;刘军设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器，针对高低通切换结构的移相器单元在毫米波频段移相精度较差，实现带宽较小，同时移相精度受工艺偏差影响较大问题，本发明采用一种毫米波宽带耦合器结构取代传统高低通切换结构中的高通网络结构，大大提升了移相器的移相精度和移相带宽，同时相位偏差受工艺变化影响较小，增加了移相器的电路鲁棒性能，提升了移相器的整体性能。该移相器单元不同于以往的高低通切换结构中电感电容型高通网络结构，充分利用了金属层之间的电磁耦合效应和宽金属层的稳定性，设计原理清晰，结构简单，成本低廉。

本发明授权一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器在权利要求书中公布了：1.一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器，包括高阶高通滤波网络、三阶低通滤波网络、多个开关型晶体管，开关型晶体管串联在宽带耦合器与三阶低通滤波网络结构之间；其特征在于：所述高阶高通滤波网络采用毫米波宽带耦合器；所述毫米波宽带耦合器为金属层交叉耦合结构，采用多层排布结构，从上到下依次包括第一金属层6、第二金属层8、第三金属层10、第四金属层12、第五金属层14、第六金属层16、第七金属层18；相邻金属层间通过金属过孔连接，且第一金属层6、第二金属层8间存在距离；所述第一金属层6采用中部刻蚀有第一耦合缝隙5-1，以形成两段相互耦合的金属线，具体包括第一金属线1、第二金属线2；所述第一金属线1的一端朝向所述第一耦合缝隙5-1，另一端作为输入输出端口；所述第二金属线2的一端朝向所述第一耦合缝隙5-1，另一端作为输入输出端口；所述第一金属线1包括依次串联的第一水平线1-1、第一竖直线1-2、第二水平线1-3、第二竖直线1-4、第三水平线1-5；第二金属线2包括依次串联的第四水平线2-1、第三竖直线2-2、第五水平线2-3、第四竖直线2-4、第六水平线2-5；所述第一水平线1-1、第一竖直线1-2、第二水平线1-3、第二竖直线1-4、第三水平线1-5分别与所述第四水平线2-1、第三竖直线2-2、第五水平线2-3、第四竖直线2-4、第六水平线2-5轴对称设置；所述第二金属层8采用中部刻蚀有第二耦合缝隙5-2，以形成两段相互耦合的金属线，具体包括第三金属线3、第四金属线4；所述第三金属线3的一端朝向所述第二耦合缝隙5-2，另一端作为接地端口；所述第四金属线4的一端朝向所述第二耦合缝隙5-2，另一端作为接地端口；所述第三金属线3包括依次串联的第七水平线3-1、第五竖直线3-2、第八水平线3-3、第六竖直线3-4；所述第四金属线4包括依次串联的第九水平线4-1、第七竖直线4-2、第十水平线4-3、第八竖直线4-4；所述第七水平线3-1、第五竖直线3-2、第八水平线3-3、第六竖直线3-4分别与所述第九水平线4-1、第七竖直线4-2、第十水平线4-3、第八竖直线4-4轴对称设置；所述第一水平线1-1、第一竖直线1-2、第二水平线1-3、第二竖直线1-4落在所述第二金属层8上的投影分别位于所述第七水平线3-1、第五竖直线3-2、第八水平线3-3、第六竖直线3-4上；所述第四水平线2-1、第三竖直线2-2、第五水平线2-3、第四竖直线2-4落在所述第二金属层8上的投影分别位于所述第九水平线4-1、第七竖直线4-2、第十水平线4-3、第八竖直线4-4上；所述第一金属线1和第三金属线3通过第一金属过孔7连接，构成第一个感性联合金属层；第二金属线2和第四金属线4通过第一金属过孔7连接，构成第二个感性联合金属层；两个联合感性金属层之间产生感性耦合，等效为变压器；所述第一金属线1、第二金属线2、第三金属线3、第四金属线4各自等效为电感，第一金属层6与第二金属层8之间存在显著的容性耦合，引入等效的耦合电容；第三金属层10、第四金属层12、第五金属层14、第六金属层16位于所述第一金属线1、第二金属线2的接地端口下方；所述第七金属层18作为接地金属层，采用中间挖空的结构，挖空部分边缘与所述宽带耦合器第一金属层6和第二金属层8边缘之间存在间距，第七金属层18底面与GND相连；所述多个开关型晶体管包括八个开关型晶体管Q1-Q8；开关型晶体管Q1-Q4串联在宽带耦合器与三阶低通滤波网络之间,开关型晶体管Q5-Q6分别在宽带耦合器与串联开关型晶体管Q1-Q2之间并联连接，开关型晶体管Q7-Q8分别在三阶低通滤波网络与串联开关型晶体管Q3-Q4之间并联连接；VC为控制电压，通过接高电平和低电平可以使移相器在移相态和参考态两种相位状态之间转换。

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