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龙图腾网恭喜广东利元亨智能装备股份有限公司申请的专利一种异质结TCO薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116356273B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310343419.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种异质结TCO薄膜的制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结TCO薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及异质结电池技术领域，尤其是涉及一种异质结TCO薄膜的制备方法。本发明的一种异质结TCO薄膜的制备方法，包括如下步骤：硅片依次通过至少3个靶组对所述硅片的第一表面进行沉积；硅片依次通过至少3个靶组对所述硅片的第二表面进行沉积；沿所述硅片的运动方向，所述硅片的第一表面与所述靶组的垂直距离依次递减，所述硅片的第二表面与所述靶组的垂直距离依次递减；沿所述硅片的运动方向，对所述硅片的第一表面进行沉积的所述靶组的磁场强度依次递减，对所述硅片的第二表面进行沉积的所述靶组的磁场强度依次递减。本发明的制备方法能够提高溅射速率、减少制备时间，提高制得的TCO薄膜的性能。

本发明授权一种异质结TCO薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结TCO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：硅片依次通过3个靶组对所述硅片的第一表面进行沉积；硅片依次通过3个靶组对所述硅片的第二表面进行沉积；所述硅片依次通过第一靶组、第二靶组和第三靶组对所述硅片的第一表面进行沉积；所述硅片依次通过第四靶组、第五靶组和第六靶组对所述硅片的第二表面进行沉积；沿所述硅片的运动方向，所述硅片的第一表面与所述靶组的垂直距离依次递减，所述硅片的第二表面与所述靶组的垂直距离依次递减；沿所述硅片的运动方向，对所述硅片的第一表面进行沉积的所述靶组的磁场强度依次递减，对所述硅片的第二表面进行沉积的所述靶组的磁场强度依次递减；所述第一靶组和所述第四靶组的溅射功率各自独立地为0.9～1.3kw；所述第二靶组和所述第五靶组的溅射功率各自独立地为1.2～1.6kw；所述第三靶组和所述第六靶组的溅射功率各自独立地为1.5～1.9kw。

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