恭喜南京邮电大学储鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116231256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310440346.2，技术领域涉及：H01P1/208；该发明授权一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器是由储鹏;罗梦劼设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器，本发明采用多层基片堆叠的方式，相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔，相邻谐振腔通过耦合孔组连接，使滤波器结构更加紧凑并保证电路整体的完整性，更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中，并且耦合孔组可以独立的耦合主模和第一阶高次模，达到独立控制双通带带宽的目的，同时还可以抑制第二阶高次模的耦合，达到增加带外抑制优化的效果。
本发明授权一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，包括堆叠的顶层金属基片和底层金属基片，顶层金属基片和底层金属基片之间堆叠有多个中间金属基片，相邻金属基片之间堆叠有介质基片；介质基片上贯穿有金属化通孔阵列，介质基片上贯穿的金属化通孔阵列、上层的金属基片和下层的金属基片共同构成谐振腔；相邻两谐振腔之间的金属基片上开有连接相邻两谐振腔的耦合孔组，耦合孔组包括第一缝隙孔对和第二缝隙孔，第一缝隙孔对位于主模磁场和第二阶高次模电场的最强处，第二缝隙孔位于第一阶高次模的磁场最强处；第一缝隙孔对提供主模和第二阶高次模的磁耦合，通过调节第一缝隙孔的长度，控制主模的磁耦合量，通过调节第一缝隙孔的长度以及第一缝隙孔与最近谐振腔侧壁的距离，控制第二阶高次模的磁耦合量；第二缝隙孔提供第一阶高次模的磁耦合，通过调节第二缝隙孔的长度，控制第一阶高次模的磁耦合量。
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