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龙图腾网恭喜中国地质大学(武汉)申请的专利用于MEMS谐振器的低应力封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117155330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311089212.7，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权用于MEMS谐振器的低应力封装结构是由涂鑫;邵金涛设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于MEMS谐振器的低应力封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器芯片领域，尤其是涉及一种适用于MEMS谐振器的低应力封装结构，包括MEMS芯片、隔离层、粘接结构和ASIC芯片，MEMS芯片包含封盖层、结构层、上下锚点层与衬底层，封盖层与衬底层键合并形成一个空腔，用于放置结构层，结构层通过上下锚点层与封盖层、衬底层连接，下锚点层之间有弹簧结构，用于释放衬底的应力，衬底层上表面有多个波浪纹结构与深槽，用于吸收应力与隔离应力，与衬底层下连接的隔离层有一凹槽，凹槽表面有波浪纹结构，用于隔离与吸收应力，隔离层与ASIC芯片之间通过粘接结构粘接，该结构通过多级应力隔离与应力释放结构，极大的减小了粘接结构与MEMS芯片之间因热膨胀系数失配而产生的热应力，提高器件的性能。

本发明授权用于MEMS谐振器的低应力封装结构在权利要求书中公布了：1.一种用于MEMS谐振器的低应力封装结构，其特征在于，所述封装结构：从上到下依次为包括MEMS芯片、隔离层、粘接结构和ASIC芯片；所述MEMS芯片包含封盖层、结构层、上下锚点层与衬底层；所述封盖层下表面有一凹槽，所述封盖层的下表面与所述衬底层上表面通过介质层实现金硅键合并形成一个密闭的空腔；所述封盖层有电通路，所述电通路与所述封盖层绝缘，所述电通路与所述上锚点层连接；所述上锚点层上表面与所述封盖层连接，下表面与所述结构层连接；所述上锚点层内部有电通路，所述电通路与锚点层绝缘；所述上锚点层电通路实现所述结构层与所述封盖层的电连接桥梁；所述结构层位于所述空腔中，其上表面与所述上锚点层连接，并由所述上锚点层悬挂，其下表面与所述下锚点层连接，由所述下锚点层所支撑；所述下锚点层包含上氧化层与弹簧结构；所述下锚点层的上氧化层与所述结构层连接，下表面与所述衬底层上表面连接；所述锚点层之间分布有弹簧结构；所述衬底层的上表面包含多个波浪纹结构与深槽结构，分布在锚点层接触面四周。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国地质大学(武汉)，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。