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龙图腾网恭喜瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司申请的专利一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117373913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311354763.1，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺是由梁瑞;刘杰;钱卫宁;冯淦;赵建辉设计研发完成，并于2023-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺，是将碳化硅衬底置于反应腔室中，在氢气气氛中对衬底进行预刻蚀处理后，通入碳源和硅源作为生长源气，使用六甲基二硅氮烷作为n型掺杂源，由氢气携带六甲基二硅氮烷进入反应腔室，生长n型掺杂碳化硅外延片。本发明可以有效地将N元素掺杂入SiC晶格中，提高了掺杂效率，减少了N元素在腔体环境中的残留，可有效降低碳化硅外延生长过程中掺杂浓度受背景浓度的影响，实现掺杂浓度的精确控制；在连续的外延生长过程中，提高掺杂浓度的稳定性。

本发明授权一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺在权利要求书中公布了：1.一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）将碳化硅衬底置于反应腔室中，在氢气气氛中对衬底进行预刻蚀处理；2）进行外延生长，维持反应腔室温度为1500℃~1700℃，通入碳源和硅源作为生长源气，CSi摩尔比为0.9~1.3，碳源包括甲烷、乙烷和乙烯，硅源包括三氯硅烷和二氯硅烷；使用六甲基二硅氮烷作为n型掺杂源，由氢气携带六甲基二硅氮烷进入反应腔室，生长n型掺杂碳化硅外延薄膜至目标厚度；其中碳源的气体流量为50~200sccm；将液态的六甲基二硅氮烷置于鼓泡器内，向鼓泡器内通入氢气2，形成六甲基二硅氮烷和氢气2的第一混合气体，第一混合气体与氢气3混合形成第二混合气体后通入反应腔室，流量为20~400sccm；通过控制氢气2的流量、氢气3的流量以及第二混合气体通入反应腔室的流量控制六甲基二硅氮烷的通入量，以控制n型掺杂浓度；3）关断碳源、硅源和掺杂源，降温后得到n型掺杂碳化硅外延片。

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