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龙图腾网恭喜武汉盛势启创科技有限公司申请的专利一种非线性位置传感器及检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117781832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311872726.X，技术领域涉及：G01B7/00；该发明授权一种非线性位置传感器及检测方法是由刘云;钱镇强;柯昌堂设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非线性位置传感器及检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种位置传感器技术领域，具体涉及一种非线性位置传感器及检测方法，该非线性位置传感器包括双霍尔传感器，其内部具有两个霍尔元件，双霍尔传感器用于朝向导磁材料放置，以在移动位置时记录两个霍尔元件的检测数据；背磁，其固定在所述双霍尔传感器背向所述导磁材料的一面，背磁用于增强所述双霍尔传感器的磁性；通过增设的背磁，使得双霍尔传感器的磁性大大增强，在移动位置时，也能够有效感应到背磁在导磁材料上产生磁场的变化，从而记录不同位置的两个霍尔元件的差分数据，建立相应数据模型，从而准确地得出被测导磁材料一面到另一面的距离，进而解决现有技术中线性位置传感器检测弱磁场导磁材料时检测效果差的技术问题。

本发明授权一种非线性位置传感器及检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非线性位置传感器的检测方法，所述非线性位置传感器包括：双霍尔传感器，其内部具有两个霍尔元件，背磁，其固定在所述双霍尔传感器背向导磁材料的一面，背磁用于增强所述双霍尔传感器的磁性；其特征在于，该检测方法包括如下步骤：S1：将已经固定连接背磁的双霍尔传感器放置在待检测的导磁材料的旁侧，以准备检测导磁材料一个面到另一个面的距离，其中霍尔元件所在端面朝向导磁材料；S2：调整带有背磁的双霍尔传感器与待检测面之间的角度，并且移动双霍尔传感器至远离导磁材料的X方向平移移动，计算移动过程中多个位点的两个霍尔元件检测数据的差分数据，将多组差分数据进行记录，建立距离和差分数据的模型；S3：继续调整带有背磁的双霍尔传感器与待检测面之间的角度，并且移动双霍尔传感器至远离导磁材料的X方向平移移动，计算移动过程中多个位点的两个霍尔元件检测数据的差分数据，将多组差分数据进行记录，建立距离和差分数据的模型；S4：调整带有背磁的双霍尔传感器与待检测面之间的角度，并且移动双霍尔传感器至远离导磁材料的Y方向平移移动，计算移动过程中多个位点的两个霍尔元件检测数据的差分数据，将多组差分数据进行记录，建立距离和差分数据的模型；S5：继续调整带有背磁的双霍尔传感器与待检测面之间的角度，并且移动双霍尔传感器至远离导磁材料的Y方向平移移动，计算移动过程中多个位点的两个霍尔元件检测数据的差分数据，将多组差分数据进行记录，建立距离和差分数据的模型；S6：调整带有背磁的双霍尔传感器与待检测面之间的角度，并且移动双霍尔传感器至远离导磁材料的Z方向平移移动，计算移动过程中多个位点的两个霍尔元件检测数据的差分数据，将多组差分数据进行记录，建立距离和差分数据的模型；S7：继续调整带有背磁的双霍尔传感器与待检测面之间的角度，并且移动双霍尔传感器至远离导磁材料的Z方向平移移动，计算移动过程中多个位点的两个霍尔元件检测数据的差分数据，将多组差分数据进行记录，建立距离和差分数据的模型；S8：对上述多组模型进行分析判断，以准确得出导磁材料一面到另一面的距离。

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