恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司康绍磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利像素单元及驱动方法、图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510112496.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权像素单元及驱动方法、图像传感器是由康绍磊;汪凯伦设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素单元及驱动方法、图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种像素单元及驱动方法、图像传感器，所述像素单元包括：P型掺杂区、位于P型掺杂区内的光电二极管区与浮置扩散区、与浮置扩散区连接的传输晶体管、复位晶体管、源跟随器晶体管和行选择晶体管；其中，在光电二极管区远离浮置扩散区一侧的P型掺杂区内形成有第一N型掺杂区，且第一N掺杂区与光电二极管区之间间隔有P型掺杂区，第一N掺杂区、P型掺杂区以及光电二极管区形成寄生NPN三极管。本发明通过控制第一N型掺杂区电位让寄生NPN三极管处于放大状态，实现给光电二极管区充电的目的，避免了通过曝光给光电二极管充电的操作，能够在常规的WAT测试机台上进行光电性能测试，解决了光电测试与常规WAT测试设备不兼容的问题。
本发明授权像素单元及驱动方法、图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种像素单元，其特征在于，包括：P型掺杂区、位于所述P型掺杂区内的光电二极管区与浮置扩散区、与所述浮置扩散区连接的传输晶体管、复位晶体管、源跟随器晶体管和行选择晶体管；其中，在所述光电二极管区远离所述浮置扩散区一侧的所述P型掺杂区内形成有第一N型掺杂区，且所述第一N型掺杂区与所述光电二极管区之间间隔有所述P型掺杂区，所述第一N型掺杂区、所述P型掺杂区以及所述光电二极管区形成寄生NPN三极管；所述第一N型掺杂区与所述光电二极管区之间的间距大于所述光电二极管区与所述P型掺杂区构成的集电结反偏时所述P型掺杂区内的耗尽区的宽度。
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