恭喜同源微(北京)半导体技术有限公司高占军获国家专利权
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龙图腾网恭喜同源微(北京)半导体技术有限公司申请的专利一种双能量X射线探测器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN108761516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201810293466.3,技术领域涉及:G01T1/20;该发明授权一种双能量X射线探测器是由高占军设计研发完成,并于2018-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双能量X射线探测器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种双能量X射线探测器,包括:低能子板,包括沿射线入射方向依次设置于第一PCB板上的低能闪烁体阵列和第一光电二极管阵列;高能子板,包括沿射线入射方向依次设置于第二PCB板上的高能闪烁体阵列和第二光电二极管阵列;所述低能子板和高能子板沿射线入射方向依次通过直插针直接连接到母板上,第一光隔器件各像元中心点与对应高能闪烁体阵列各像元中心点对准;其中所述第一光隔器件为所述低能闪烁体阵列或第一光电二极管阵列。本发明探测器子板分别通过直插针直接与母板进行连接,实现了探测器的紧凑型基础构架,提高了集成度,实现了探测器的高可靠性连接及产品运行的可靠性,大大降低了产品成本。
本发明授权一种双能量X射线探测器在权利要求书中公布了:1.一种双能量X射线探测器,其特征在于,包括对应设置的低能子板和高能子板,其中:所述低能子板包括沿射线入射方向依次设置于第一PCB板上的低能闪烁体阵列和第一光电二极管阵列,所述第一光电二极管阵列用于检测所述低能闪烁体阵列发出的光信号并转化为所述低能子板的电信号;所述高能子板包括沿射线入射方向依次设置于第二PCB板上的高能闪烁体阵列和第二光电二极管阵列,所述第二光电二极管阵列用于检测所述高能闪烁体阵列发出的光信号并转化为所述高能子板的电信号;所述高能子板与母板之间还设置有X射线屏蔽层,所述低能子板和高能子板沿射线入射方向依次通过直插针直接连接到母板上,第一光隔器件各像元中心点与对应高能闪烁体阵列各像元中心点对准,其中,所述第一光隔器件为第一光电二极管阵列,所述低能子板和高能子板之间还设置有滤波片,所述滤波片用于吸收X射线能谱中低能部分。
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