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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利在多重图案化处理中使用原子层沉积的间隔件轮廓控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111656488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980010351.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权在多重图案化处理中使用原子层沉积的间隔件轮廓控制是由米尔扎弗·阿巴查夫;傅乾;山口叶子;亚伦·埃普勒设计研发完成，并于2019-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本在多重图案化处理中使用原子层沉积的间隔件轮廓控制在说明书摘要公布了：本文描述了用于在多重图案化处理中使用原子层沉积ALD来控制间隔件轮廓的方法和设备。以多图案化方案将氧化硅间隔件沉积在图案化的芯材料和衬底的目标层上。通过多个ALD循环在包括氧化时间、等离子功率和衬底温度的第一氧化条件下沉积氧化硅间隔件的第一厚度。在第二氧化条件下通过多个ALD循环沉积氧化硅间隔件的第二厚度，其中第二氧化条件与第一氧化条件的区别在于一个或多个参数。在蚀刻图案化的芯材料之后，氧化硅间隔件的所得轮廓至少部分取决于第一和第二氧化条件。

本发明授权在多重图案化处理中使用原子层沉积的间隔件轮廓控制在权利要求书中公布了：1.一种用于控制多个氧化硅间隔件的斜度的方法，其包括：在等离子体室中，通过原子层沉积在衬底上沉积第一厚度的氧化硅间隔件层，其中所述衬底包括图案化的芯材料和在所述图案化的芯材料下面的目标层，其中通过原子层沉积来沉积所述第一厚度的所述氧化硅间隔件层包括将所述衬底暴露于第一剂量的含硅前体以及在第一氧化条件下将所述衬底暴露于氧化剂的等离子体；在所述等离子体室中，通过原子层沉积在所述衬底上沉积第二厚度的所述氧化硅间隔件层，其中通过原子层沉积来沉积所述第二厚度的所述氧化硅间隔件层包括将所述衬底暴露于第二剂量的所述含硅前体以及在第二氧化条件下将所述衬底暴露于所述氧化剂的等离子体，所述第二氧化条件不同于所述第一氧化条件；以及在所述等离子体室中，蚀刻所述氧化硅间隔件层的一部分和所述图案化的芯材料以形成多个氧化硅间隔件，其中，所述多个氧化硅间隔件包括所述氧化硅间隔件层的其余部分以用作所述目标层的掩模，其中，所述多个氧化硅间隔件中的每一个具有斜度，其中，所述斜度至少部分地取决于所述第一氧化条件和所述第二氧化条件。

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