恭喜隔热半导体粘合技术公司G·高获国家专利权
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龙图腾网恭喜隔热半导体粘合技术公司申请的专利作为焊盘的TSV获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112585740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980051599.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权作为焊盘的TSV是由G·高;B·李;G·G·小方丹;C·E·尤佐;B·哈巴;L·W·米卡里米;R·坎卡尔设计研发完成，并于2019-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本作为焊盘的TSV在说明书摘要公布了：包括过程步骤的代表性技术和器件可以被采用，来减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性。例如，穿硅过孔TSV可以设置穿过微电子衬底中的至少一个微电子衬底。TSV在衬底的接合界面处被暴露，并且用作针对直接接合的接触表面。
本发明授权作为焊盘的TSV在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子组件的方法，包括：提供穿过第一衬底的第一导电过孔，所述第一衬底具有基部层和第一接合表面，所述第一导电过孔至少部分地延伸穿过所述第一衬底并且具有埋置的第一端部；从与所述第一接合表面相对的表面暴露所述第一导电过孔的所述第一端部；在与所述第一接合表面相对的所述表面处形成第二接合表面，形成第二接合表面包括：形成至少部分地由非导电接合层限定的非导电表面，所述非导电接合层具有电介质层和所述电介质层上的绝缘体；抛光所述非导电表面；以及使所述第一导电过孔的暴露的第一端部凹陷，其中所述电介质层沿着所述导电过孔的部分延伸并且在所述基部层之上延伸；提供第二衬底，所述第二衬底包括至少部分地延伸穿过所述第二衬底的第二导电过孔以及电耦合到所述第二导电过孔的焊盘；以及将所述第一衬底的所述第二接合表面接合到所述第二衬底，使得所述第二导电过孔接触所述第一导电过孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人隔热半导体粘合技术公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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