恭喜旺宏电子股份有限公司吕函庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其阵列布局及包括其的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010673040.8，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体装置及其阵列布局及包括其的封装结构是由吕函庭设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其阵列布局及包括其的封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置及其阵列布局及包括其的封装结构，其中，半导体装置包括一叠层以及多个存储器串行。叠层形成于一衬底上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串行沿着一第一方向穿过叠层，各个存储器串行包括一通道层、一存储器结构、一第一导电柱及一第二导电柱。通道层沿着第一方向延伸。存储器结构设置于叠层与通道层之间。第一导电柱及第二导电柱沿着第一方向延伸且彼此电性隔离，并分别耦接于通道层的一第一位置及一第二位置，第一位置相对于第二位置，其中存储器结构环绕第一位置而暴露第二位置。
本发明授权半导体装置及其阵列布局及包括其的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，包括：一叠层，形成于一衬底上，该叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及多个存储器串行，沿着一第一方向穿过该叠层，各该存储器串行包括：一通道层，沿着该第一方向延伸；一存储器结构，设置于该叠层与该通道层之间；以及一第一导电柱及一第二导电柱，沿着该第一方向延伸且彼此电性隔离，并分别耦接于该通道层的一第一位置及一第二位置，该第一位置相对于该第二位置，其中该存储器结构环绕该第一位置而暴露该第二位置；该通道层具有一环形内表面以及一环形外表面，该第一导电柱及该第二导电柱耦接于该环形内表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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