恭喜爱思开海力士有限公司安俊九获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利电子设备及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113346010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010776326.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权电子设备及其制造方法是由安俊九设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子设备及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器包括：多个第一线，其在第一方向上延伸；以及多个第二线，其在所述第一线上方，所述第二线在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个存储单元，其在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上设置在第一线与第二线之间的第一线和第二线的交叉区域处；以及散热体，其在相对于第一方向和第二方向的对角线方向上位于彼此相邻的两个存储单元之间。
本发明授权电子设备及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子设备，其包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：多个第一线，其在第一方向上延伸；多个第二线，其在所述第一线上方，所述第二线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个存储单元，其在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上设置在所述第一线与所述第二线之间的所述第一线和所述第二线的交叉区域处；第一气隙，其位于在所述第二方向上的两个相邻的存储单元之间；第二气隙，其位于在所述第一方向上的两个相邻的存储单元之间；和散热体，其在相对于所述第一方向和所述第二方向的对角线方向上位于彼此相邻的两个存储单元之间，并且与所述第一气隙和所述第二气隙的交叉区域相重叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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