恭喜长鑫存储技术有限公司吴秉桓获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利芯片、半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111192866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811361244.7，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权芯片、半导体结构及其制备方法是由吴秉桓;汪美里设计研发完成，并于2018-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片、半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构。该半导体结构可以包括有源块、第一电接触端、栅极氧化层以及栅极块；第一电接触端设于所述有源块之上；栅极氧化层覆盖于所述有源块的多个表面；栅极块上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内，从而减少了该半导体结构占用面积。
本发明授权芯片、半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：有源块；第一电接触端，设于所述有源块；栅极氧化层，覆盖于所述有源块的多个表面；栅极块，其上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内；其中，所述有源块包括：条形块；第一连接块，与所述条形块连接，所述栅极氧化层设于所述条形块表面，所述第一电接触端设于所述第一连接块；其中，所述条形块的数量为多个，多个所述条形块平行设置且均与所述第一连接块连接；第二连接块，连接于多个所述条形块的远离所述第一连接块的一端；第一环形块，其表面覆盖有所述栅极氧化层，覆盖有所述栅极氧化层的第一环形块插入所述第一凹槽；第二环形块，所述第二环形块套设于所述第一环形块，其表面覆盖有所述栅极氧化层，覆盖有所述栅极氧化层的第二环形块插入所述第一凹槽；所述第一环形块与所述第二环形块之间具有间隙，所述栅极块的部分区域插入所述间隙，且所述第一环形块与所述第二环形块电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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