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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109841514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811443364.1，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法是由H-J.舒尔策;F-J.尼德诺斯泰德;O.J.施普尔伯;S.福斯设计研发完成，并于2018-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法。包括在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分。在第一场终止区带部分上形成第一导电类型的漂移区带。漂移区带的平均掺杂浓度小于第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的80%。在第一表面处处理半导体主体。通过从与第一表面相对的第二表面移除半导体衬底的材料来进行薄化。通过将处在一个或多个能量的质子通过第二表面注入到半导体主体中来形成第一导电类型的第二场终止区带部分。质子的最深的范围边界峰值按在从3μm到60μm的范围中的距漂移区带与第一场终止区带部分之间的过渡部的竖向距离设置于第一场终止区带部分中。通过热处理来对半导体主体进行退火。

本发明授权制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种在半导体主体中制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分；在所述第一场终止区带部分上形成所述第一导电类型的漂移区带，其中所述漂移区带的平均掺杂浓度被设置为小于所述第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的80％；在所述半导体主体的第一表面处处理所述半导体主体；通过从所述半导体主体的与所述第一表面相对的第二表面移除所述半导体衬底的材料来对所述半导体主体进行薄化；通过将处在一个或多个能量的质子通过所述第二表面注入到所述半导体主体中来形成所述第一导电类型的第二场终止区带部分，其中，质子的最深的范围边界峰值按在从3μm到60μm的范围中的距所述漂移区带与所述第一场终止区带部分之间的过渡部的竖向距离设置于所述第一场终止区带部分中；以及通过热处理来对所述半导体主体进行退火，其中第二场终止区带部分的质子是以至少三个不同的离子注入能量注入的。

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