恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司蔡汉龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112185908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910600122.7,技术领域涉及:H01L23/367;该发明授权半导体封装结构及其制备方法是由蔡汉龙;林正忠设计研发完成,并于2019-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括:第一封装体,第一封装体包括第一封装基板、第一芯片、第一塑封层、第一导热胶层、第一导热引线及第一散热层;第二封装体,位于第一封装体的上方,第二封装体包括第二封装基板、第二芯片、第二塑封层、第二导热胶层、第二导热引线及第二散热层;第三封装体,位于第二封装体的上方;第三封装体包括第三封装基板、第三芯片及第三塑封层。本发明的半导体封装结构在位于叠层封装结构中间的芯片外围设置散热层以改善叠层封装结构的散热,同时通过导热引线将芯片散发的热量传导到散热层,有助于芯片的快速散热,可防止因散热不佳导致的器件翘曲,有助于提高器件性能。
本发明授权半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:第一封装体,所述第一封装体包括第一封装基板、第一芯片、第一塑封层、第一导热胶层、第一导热引线及第一散热层;所述第一芯片通过第一键合引线键合于所述第一封装基板的上表面;所述第一塑封层位于所述第一封装基板和所述第一芯片的上表面,且将所述第一芯片塑封;所述第一导热胶层位于所述第一塑封层的侧壁;所述第一导热引线位于所述第一塑封层内,且两端分别与所述第一芯片和所述第一导热胶层相连接;所述第一散热层位于所述第一导热胶层远离所述第一塑封层的侧壁表面;第二封装体,位于所述第一封装体的上方;所述第二封装体包括第二封装基板、第二芯片、第二塑封层、第二导热胶层、第二导热引线及第二散热层;所述第二封装基板位于所述第一塑封层的上方;所述第二芯片通过第二键合引线键合于所述第二封装基板的上表面;所述第二塑封层位于所述第二封装基板和所述第二芯片的上表面,且将所述第二芯片塑封;所述第二导热胶层位于所述第二塑封层的侧壁;所述第二导热引线位于所述第二塑封层内,且两端分别与所述第二芯片和所述第二导热胶层相连接;所述第二散热层位于所述第二导热胶层远离所述第二塑封层的侧壁表面;所述第一导热胶层与所述第二导热胶层相接触,所述第一散热层与所述第二散热层相接触;第三封装体,位于所述第二封装体的上方;所述第三封装体包括第三封装基板、第三芯片及第三塑封层;所述第三封装基板位于所述第二塑封层的上方;所述第三芯片键合于所述第三封装基板的上表面;所述第三塑封层位于所述第三封装基板和所述第三芯片的上表面,且将所述第三芯片塑封。
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