恭喜广东致能半导体有限公司黎子兰获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东致能半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910822402.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制造方法是由黎子兰设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括衬底；在所述衬底上形成的第一半导体层；在所述第一半导体层的上形成的第二半导体层；第一半导体层具有比第二半导体层更小的禁带宽度；在所述第一或第二半导体层上形成的第一电极和第三电极，在所述第二半导体层上形成的第二电极，在第二电极下方具有第三半导体层，所述第三半导体层为P‑型第三半导体层。本公开内容的方案至少能有助于实现如下效果之一：减小栅极漏电流，具有高阈值电压、高功率、高可靠性，能够实现低导通电阻和器件的常关状态，能够提供稳定的阈值电压，从而使得半导体器件具有良好的开关特性，在使用中更安全。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括：衬底；在所述衬底第一表面上形成的第一半导体层；在所述第一半导体层第一表面上形成的第二半导体层；第一半导体层具有比第二半导体层更小的禁带宽度；在所述第一或第二半导体层上形成的第一电极和第三电极，在所述第二半导体层上形成的第二电极；第三半导体层投影到所述衬底的长度范围在所述第二电极投影到所述衬底的长度范围内，所述第三半导体层为P-型半导体层；所述第三半导体层形成在所述第一半导体层内；所述第三半导体层为大于等于2的多个分立的层结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东致能半导体有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部大厦A座3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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