恭喜英飞凌科技奥地利有限公司T.法伊尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110190040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910131937.5，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法是由T.法伊尔;D.克拉韦特;P.加尼切尔;M.珀尔兹尔;C.冯科布林斯基设计研发完成，并于2019-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法在说明书摘要公布了：公开了半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法。在实施例中，模块包括第一器件区域中的第一电子器件和第二器件区域中的第二电子器件。第一电子器件被可操作地耦合到第二电子器件以形成电路。第一电子器件的侧面和第二电子器件的侧面嵌入在第一环氧树脂层中并且与第一环氧树脂层直接接触。
本发明授权半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块，包括：在第一器件区域中的第一电子器件；在第二器件区域中的第二电子器件，其中第一电子器件被耦合到第二电子器件以形成电路；第一主表面，其包括至少一个接触焊盘；第二主表面，其包括至少一个接触焊盘，第二主表面与第一主表面相对；布置在第一主表面上的第一环氧树脂层，其让第一接触焊盘的至少部分暴露；其中，第一电子器件的侧面和第二电子器件的侧面嵌入在第一环氧树脂层中并且与第一环氧树脂层直接接触，以及导电再分配结构，其将第一电子器件与第二电子器件电耦合以形成电路，其中导电再分配结构包括：从第一主表面延伸到第二主表面的导电通孔；以及导电层，其被布置在第一主表面或第二主表面上并且被布置在导电通孔上，导电层从第一器件区域经非器件区域延伸到第二器件区域，将第一电子器件耦合到第二电子器件，其中导电通孔位于第一电子器件中或者位于第二电子器件中并且与其所位于的第一电子器件或第二电子器件电耦合。
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